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季锋

作品数：106 被引量：3H指数：1
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 100篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇理学
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 51篇感器
  • 51篇传感
  • 51篇传感器
  • 27篇空腔
  • 26篇衬底
  • 25篇半导体
  • 23篇牺牲层
  • 21篇MEMS器件
  • 14篇指纹
  • 14篇键合
  • 13篇指纹传感器
  • 13篇换能器
  • 13篇布线
  • 13篇超声波
  • 13篇超声波换能器
  • 11篇压力传感器
  • 11篇芯片
  • 11篇力传感器
  • 11篇结构层
  • 10篇电化学腐蚀

机构

  • 83篇杭州士兰集成...
  • 55篇杭州士兰微电...
  • 6篇杭州士兰集昕...

作者

  • 106篇季锋
  • 39篇刘琛
  • 11篇饶晓俊
  • 8篇范伟宏
  • 7篇孙伟
  • 7篇杨彦涛
  • 5篇孙福河
  • 5篇陈雪平
  • 4篇张小丽
  • 3篇王平
  • 3篇江宇雷
  • 3篇赵金波
  • 3篇张常军
  • 1篇李志栓
  • 1篇陈文伟
  • 1篇汪建平
  • 1篇袁家贵
  • 1篇马志坚
  • 1篇黄荣生
  • 1篇王友良

传媒

  • 5篇中国集成电路
  • 1篇2014`全...

年份

  • 4篇2024
  • 6篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 4篇2020
  • 11篇2019
  • 20篇2018
  • 17篇2017
  • 18篇2016
  • 7篇2015
  • 11篇2014
  • 1篇2013
共 106 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
超声波传感器组件
本申请公开了超声波传感器组件。所述超声波传感器组件，包括：柔性电路板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；以及芯片，所述芯片位于所述柔性电路板的第一表面上，并且包括依次堆叠的超声波发生器和电路层，其中，所述柔性电路板的第一...
丁立国季锋闻永祥
文献传递
超声波传感器
本申请公开了超声波传感器。所述超声波传感器包括：CMOS电路；以及至少一个超声波换能器，其中，所述CMOS电路与所述至少一个超声波换能器连接，用于驱动所述至少一个超声波换能器和处理所述至少一个超声波换能器产生的检测信号，...
季锋闻永祥刘琛邹光祎
文献传递
HF气相刻蚀技术及其在MEMS加速度计中的应用被引量：1
2016年
本文介绍了一种用于微结构干法释放的HF气相刻蚀技术。通过调节工艺参数(包括腔体压力,HF流量,乙醇流量,氮气流量)研究其对二氧化硅刻蚀速率和均匀性的影响,得到刻蚀速率在500魡/min左右,均匀性5%左右的工艺菜单。该技术运用于MEMS加速度计中,成功实现了梳齿结构和质量块的无粘连释放。
方佼於广军闻永祥马志坚季锋闵猛猛
关键词：牺牲层腐蚀微加速度计
外延工艺中图形漂移和畸变的研究
外延淀积工艺中发生的图形漂移和图形畸变会导致外延后加工层次无法和外延前留下的对位标记实现准确对位甚至无法对位的情况，本论文阐述了图形漂移和图形畸变的原理，采用横向外延生长技术，结合实际试验的结果，给出了一种图形漂移和图形...
杨彦涛陈文伟季锋袁家贵
各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法
本发明提供的一种各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法，该结构包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖该半导体衬底；磁性电阻金属条，位于该第一绝缘层上；接触金属层，位于该磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于该接触金属层上；第...
闻永祥季锋刘琛饶晓俊
文献传递
空腔薄膜及其制造方法
本发明提供了一种空腔薄膜及其制造方法，所述方法包括：提供第一掺杂浓度的N型硅片；在所述第一掺杂浓度的N型硅片表面形成第二掺杂浓度的第一N型层，所述第二掺杂浓度高于第一掺杂浓度；通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一N型层...
季锋闻永祥刘琛孙伟
空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法
本发明提供了一种空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法，所述空腔形成方法在硅衬底中形成N阱，在N阱包围的硅衬底中形成N型掺杂的网格结构，并进行电化学腐蚀形成多孔硅层，再通过外延工艺使多孔硅层发生重构形成封闭的空腔。本...
孙福河闻永祥季锋刘琛陈雪平孙伟
惯性传感器及其制作方法
本发明提供了一种惯性传感器及其制作方法，对第一硅衬底进行电化学腐蚀以形成多孔硅层，再依次形成单晶硅层、牺牲层、通孔、布线层、埋层，随后将第二硅衬底与第一硅衬底键合，并腐蚀多孔硅层以分离第一硅衬底与第二硅衬底，最后，图形化...
季锋闻永祥刘琛孙伟
文献传递
MEMS器件
本申请公开了一种MEMS器件。该制MEMS器件包括：半导体衬底；空腔，位于半导体衬底中；结构层，在空腔上方；至少一个感应电阻，位于结构层中；以及第二开口，经由结构层到达空腔，其中，结构层与第二开口相邻的部分形成质量块，结...
季锋闻永祥刘琛邹光祎
文献传递
半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：在半导体衬底中形成CMOS电路结构；在半导体衬底的至少部分表面形成隔离层；以及在隔离层上形成MEMS结构，包括在隔离层上形成牺牲层、在牺牲层中形成结构层，以及去除至...
季锋刘琛闻永祥
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