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雷辉

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 3篇电流
  • 3篇电流密度
  • 3篇电阻
  • 3篇淀积
  • 3篇熔断
  • 3篇熔丝
  • 2篇调结构
  • 1篇电路
  • 1篇离子
  • 1篇离子源
  • 1篇离子注入
  • 1篇离子注入工艺
  • 1篇截面积
  • 1篇横截
  • 1篇横截面积
  • 1篇分析器
  • 1篇BIPOLA...
  • 1篇场强
  • 1篇磁场
  • 1篇磁场强度

机构

  • 4篇杭州士兰集成...

作者

  • 4篇雷辉
  • 3篇韩健
  • 3篇陈文伟
  • 3篇江宇雷
  • 3篇刘慧勇
  • 3篇杨彦涛
  • 1篇张伟东
  • 1篇王旭

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种修调电阻及其制造方法
本发明提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；熔丝修调形状，由熔丝淀积形成于介质层上，熔丝修调形状有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在熔丝修调形状的两端分别有连接垫；钝化层，...
杨彦涛陈文伟刘慧勇韩健江宇雷雷辉
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一种修调电阻及其制造方法
本发明提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；熔丝修调形状，由熔丝淀积形成于介质层上，熔丝修调形状有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在熔丝修调形状的两端分别有连接垫；钝化层，...
杨彦涛陈文伟刘慧勇韩健江宇雷雷辉
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一种Bipolar电路中的二价硼离子注入工艺
本发明提供一种Bipolar电路中的二价硼离子注入工艺，包括确定二价硼离子的电荷数和荷质比；由吸出组件对在离子源形成的混合等离子体加速，磁分析器根据固有曲率半径和二价硼离子的荷质比调节磁场强度，筛选出二价硼离子；剂量控制...
张伟东雷辉王旭李其鲁
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一种修调电阻
本实用新型提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；修调熔丝，由熔丝淀积形成于介质层上，修调熔丝有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在修调熔丝的两端分别有连接垫；钝化层，形成在修...
杨彦涛陈文伟刘慧勇韩健江宇雷雷辉
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