吴其胜
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：东南大学物理系更多>>
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- C8-BTBT在石墨烯基底上生长的第一性原理研究
- 实验证实,dioctylbenzothienobenzothiophene(C8-BTBT)在石墨烯基底上外延生长形成二维分子晶体,可以作为有机场效应管(OFET)应用于电子器件中,迁移率高达～5cm2/V·s...
- 吴其胜王金兰
- C8-BTBT在石墨烯基底上生长的第一性原理研究
- 实验证实,dioctylbenzothienobenzothiophene(C8-BTBT)在石墨烯基底上外延生长形成二维分子晶体,可以作为有机场效应管(OFET)应用于电子器件中,迁移率高达~5cm2/V·s[1]。实...
- 吴其胜王金兰
- 文献传递
- 单轴应变对石墨烯掺杂硼、氮、铝、硅、磷的影响与调控被引量：1
- 2014年
- 掺杂石墨烯因对石墨烯的性质有良好的修饰作用而备受关注.掺杂石墨烯的实验合成一直都是研究热点,但有一个普遍的难题,就是掺杂困难,掺杂浓度不高.针对这一难题,我们提出了通过对石墨烯施加单轴应变来降低掺杂过程反应形成能,从而实现石墨烯的有效可控掺杂的可能性.我们的第一性原理计算结果表明,在施加应变时,拉伸应变有利于硼掺杂,而压缩应变使氮掺杂更容易,对于铝、硅、磷,不管是拉伸还是压缩均可以使掺杂更容易.此外,我们还进一步揭示了单轴应变对掺杂石墨烯的电子结构及磁性质的影响规律.
- 吴其胜王子路王金兰
- 关键词：第一性原理计算电子结构磁性
