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刘茜

作品数：15 被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇调频
  • 4篇调频信号
  • 4篇信号
  • 4篇物联网
  • 4篇稀疏信号
  • 4篇线性调频
  • 4篇线性调频信号
  • 4篇相参
  • 4篇联网
  • 4篇宽带
  • 4篇宽带雷达
  • 4篇雷达
  • 2篇电极
  • 2篇定标
  • 2篇信号采样
  • 2篇异质结
  • 2篇用户
  • 2篇用户层
  • 2篇云端
  • 2篇智能感知

机构

  • 15篇西安电子科技...

作者

  • 15篇刘茜
  • 6篇戴奉周
  • 4篇沈玉龙
  • 4篇王媛媛
  • 4篇王建东
  • 3篇张金风
  • 3篇张进成
  • 3篇郝跃
  • 3篇赵胜雷
  • 2篇刘宏伟
  • 2篇王敏
  • 2篇胡俊
  • 2篇王楠

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2021
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于稀疏线性调频信号的宽带雷达高速目标相参积累方法
本发明涉及一种基于稀疏线性调频信号的宽带雷达高速目标相参积累方法，包括：获取目标回波信号并与LFM发射信号完成混频处理，得到混频回波信号；对混频回波信号进行采样处理，得到稀疏线性调频信号；计算得到稀疏线性调频信号的PSI...
刘宏伟戴奉周刘茜王敏
一种基于物联网感知设备云端仿真节点的云服务系统
本发明公开了一种基于物联网感知设备云端仿真节点的云服务系统，包括：仿真系统层，包括物联网感知设备云端仿真节点和云端仿真节点数据访问接口；访问认证层，包括认证控制模块和设备信息模块；云端服务层，包括实时数据模块、历史数据模...
沈玉龙王建东胡俊刘茜徐荣茂
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一种宽带雷达高速目标长时间相参积累方法及设备
本发明公开了一种宽带雷达高速目标长时间相参积累方法及设备，方法包括：向目标发射并接收线性调频信号；根据回波信号和参考信号确定差频信号，补偿差频信号得到解线调信号；采用KT变换校正解线调信号得到目标所在距离单元的和信号；对...
戴奉周王楠刘茜王媛媛禄晓飞
基于SCICPF方法的SA-ISAR成像与方位定标方法
本发明公开了一种基于SCICPF的SA‑ISAR成像与方位定标方法，包括：对回波信号进行去斜及FFT处理，得到高分辨距离像对高分辨距离像依次进行包络对齐和采样处理得到观测信号；基于观测信号的瞬时自相关函数得到矢量化的观测...
刘茜戴奉周王媛媛成玉禄晓飞
一种对物联网感知设备进行云端实时仿真的系统和方法
本发明公开了一种对物联网感知设备进行云端实时仿真的系统和方法，包括物联网感知设备、物联网网关设备、云端设备仿真中心和MQTT服务器。物联网感知设备是接入传感网络的智能感知设备；物联网网关设备为异构传感网络提供接入；云端设...
王建东沈玉龙刘茜其他发明人请求不公开姓名
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基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法
本发明涉及一种基于凹槽阳极结构的AlGaN基双沟道肖特基二极管及制备方法，该二极管包括：自下而上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、第一势垒层、超晶格层、第二势垒层和GaN帽层，其中，沟道层和第一势垒层之间形成第一导电沟...
张苇杭付李煜张进成张金风刘茜赵胜雷黄韧郝跃
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基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管及制备方法
本发明涉及一种基于AlN基板的p沟道增强型GaN/AlN异质结场效应管及制备方法，该场效应管包括自下而上依次层叠设置的衬底、AlN层、本征GaN层和p<Sup>+</Sup>GaN层；源电极，设置在所述p<Sup>+</...
张苇杭刘茜张进成张金风付李煜赵胜雷黄韧郝跃
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一种宽带雷达高速目标长时间相参积累方法及设备
本发明公开了一种宽带雷达高速目标长时间相参积累方法及设备，方法包括：向目标发射并接收线性调频信号；根据回波信号和参考信号确定差频信号，补偿差频信号得到解线调信号；采用KT变换校正解线调信号得到目标所在距离单元的和信号；对...
戴奉周王楠刘茜王媛媛禄晓飞
无片外电容瞬态增强的负压线性稳压器XD1791的设计
随着便携式设备市场的高速发展,片上系统SoC以功耗低、效率高、面积小等优点已经成为集成电路的设计主流。而对于为大多数便携式设备供电的LDO线性稳压器,研究其高集成度也将成为LDO的发展趋势。　　本文结合目前电子设备对电源...
刘茜
关键词：片上系统
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基于n-GaN栅的p沟道GaN基异质结场效应晶体管
本发明公开了一种基于n‑GaN栅的p沟道GaN基异质结场效应晶体管，自下而上包括：衬底、缓冲层、势垒层以及p‑GaN层；其中，p‑GaN层的上表面两侧设有源电极和漏电极，p‑GaN层的上表面中间刻有栅槽；栅槽被n‑GaN...
张苇杭刘茜张进成张金风付李煜赵胜雷黄韧郝跃
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