吴亚光
- 作品数：28 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术文化科学更多>>
- 铜浆在多层陶瓷封装外壳制备技术中的应用
- 2020年
- 本文介绍了自制铜浆的组成和特点,探讨了铜浆在多层陶瓷封装外壳制备技术中的适用性。通过对铜浆微观形貌观察,方阻、剪切强度的测试,分析并讨论了玻璃相添加量、烧结温度、排胶温度、排胶时间对于铜浆性能的影响。研究发现,当烧结温度为850℃,玻璃相添加量为7wt.%时,铜浆表现出良好的导电性和较高的剪切强度,方阻为2.5mΩ/,剪切强度为45.7MPa。当排胶温度达到650℃,适当延长排胶时间,降低升温速率有利于促进埋层铜浆的致密化烧结,减少孔洞,从而改善多层陶瓷封装外壳的表面平整度。
- 杨德明高岭吴亚光张炳渠白洪波
- 关键词：玻璃相剪切强度排胶温度
- BaO-Al2O3-B2O3-SiO2系微晶玻璃生料带的制备及性能被引量：3
- 2020年
- 选用BaO-Al2O3-B2O3-SiO2系微晶玻璃作为粉料,采用流延法制备生料带。研究了粘结剂质量分数、增塑剂和粘结剂质量比、微晶玻璃的质量分数(固含量)对生坯密度的影响。同时研究了烧结后陶瓷的显微结构及性能。结果表明:随着粘结剂质量分数的增加,生坯密度逐渐降低。随着增塑剂和粘结剂质量比的提高,生坯密度先提高到最大值1.47 g/cm3后逐渐降低。固含量对生坯密度的影响可忽略。当粘结剂质量分数为10%、增塑剂和粘结剂质量比为0.5、固含量为48%时,得到了外观无缺陷、粉体颗粒均匀分布的生料带。烧结后的样品呈现出良好的性能,抗弯强度达到191 MPa,热膨胀系数为1.27×10-5/℃。
- 白洪波高岭吴亚光杨德明陶煜
- 关键词：流延微晶玻璃
- 流平剂对厚膜导体浆料印刷性能的影响被引量：1
- 2020年
- 厚膜导体浆料是混合集成电路中用途最广、用量最大的一种浆料,由金属粉体、功能相、有机载体等组成。本文分别选取不同种类的流平剂,首先配制成有机载体,之后配制成同样固相含量的厚膜导体印刷浆料。文章首先研究了不同有机载体的粘度及流变性质,之后研究了不同流平剂制备的厚膜导体浆料的流变性质,分析了每一种导体浆料的印刷流平性能,实验结果表明丙烯酸类高分子树脂是适合我们厚膜导体浆料的流平剂,可以实现良好的印刷效果。最后从微观角度对实验结果进行了分析讨论。
- 赵铎吴亚光张炳渠
- 关键词：混合集成电路流平剂高分子树脂印刷效果印刷性能流变性质
- 中、高温多层陶瓷基板共烧用导体浆料的研究现状及发展趋势被引量：1
- 2023年
- 本文主要以烧结温度作为分类依据,对当前陶瓷封装领域内中、高温多层陶瓷基板共烧用导体浆料不同的导电相、填充相以及粘结相做了介绍并综述了相关研究进展。最后对中、高温多层陶瓷基板共烧用导体浆料今后的研究方向做了展望。
- 吴亚光赵昱刘林杰张炳渠
- 关键词：粘结相
- 嵌入液冷微流道陶瓷封装结构、陶瓷封装外壳及制备方法
- 本发明提供了一种嵌入液冷微流道陶瓷封装结构、陶瓷封装外壳及制备方法，属于陶瓷封装技术领域，包括陶瓷基板，陶瓷基板内部嵌设有微流道，微流道设有冷却液进口和冷却液出口。本发明提供的嵌入液冷微流道陶瓷封装结构，直接在陶瓷基板内...
- 彭博高岭王明阳淦作腾杜倩倩吴亚光
- 文献传递
- 高频高速陶瓷封装外壳用陶瓷件、外壳、层压模具及烧结模具
- 本发明公开了一种高频高速陶瓷封装外壳用陶瓷件、外壳、层压模具及烧结模具，涉及半导体微电子器件制备技术领域。所述陶瓷件至少包括第一陶瓷件和第二陶瓷件，所述第一陶瓷件包括第一水平陶瓷件和第二水平陶瓷件，所述第一水平陶瓷件与所...
- 刘林杰郑欣乔志壮丁飞任才华吴亚光张义政白洪波陈军伟
- 文献传递
- 高频、高速陶瓷封装外壳用封闭腔结构陶瓷件的制作方法
- 本发明公开了一种高频、高速陶瓷封装外壳用封闭腔结构陶瓷件的制作方法，涉及半导体微电子器件制备技术领域。所述方法包括如下步骤：制备生瓷带料；用打孔设备在裁切好的生瓷带料上需要打孔和形成腔体的位置进行打孔并形成腔体；在生瓷片...
- 郑欣刘林杰吴亚光丁飞任才华陈军伟张义政白洪波
- Si_(3)N_(4)覆铜基板的界面空洞控制技术被引量：3
- 2021年
- 为满足新一代SiC基功率模块的先进封装需求,研究了Si_(3)N_(4)覆铜活性金属焊接(AMB)基板的界面空洞控制技术,使Si_(3)N_(4)陶瓷与铜箔界面处的空洞率低于1%。选用Ag-Cu-Ti活性金属焊片作为Si_(3)N_(4)覆铜基板的焊料层,其中的活性组分Ti可与Si_(3)N_(4)生成界面反应层TiN,该材料是界面空洞控制的关键。在分析界面空洞形成机理的基础上,以空洞率为指标,对原材料前处理、AMB工艺参数(焊接压力和焊接温度)进行全因子试验设计(DOE)及方差分析,得到最佳的参数组合为:化学法与还原法相结合的原材料前处理方式,焊接压力约2 N,焊接温度900℃。通过原材料前处理和AMB工艺优化的界面空洞控制技术,研制出界面空洞率小于1%的Si_(3)N_(4)覆铜基板,能够满足SiC基功率模块封装基板的高可靠应用需求。
- 张义政张崤君张金利吴亚光刘旭鲍禹希张腾
- 关键词：AG-CU-TI空洞率
- 一种流延浆料及其应用
- 本发明涉及电子材料技术领域，具体公开一种流延浆料，包括以下质量百分比的组分：陶瓷粉58～63％，丁酮10～12％，乙醇7～8％，鱼油0.1～0.5％，粘结剂15～20％，邻苯二甲酸丁卞酯1.5～2％；所述粘结剂包括以下质...
- 吴亚光高岭白洪波陶煜张义政任才华
- SiC功率模块封装材料的研究进展
- 2024年
- 随着SiC功率模块的高频高速、高压大电流、高温、高散热和高可靠发展趋势,基于封装结构和封装材料的SiC功率模块封装技术也在不断地更新换代。与封装结构相比,SiC功率模块封装材料的相关研究报道较少。该文从封装材料角度出发,综述近年来陶瓷覆铜基板、散热底板、黏结材料、互连材料及灌封材料的研究进展,同时引出相关封装材料的研究重点,以满足SiC功率模块的应用需求。
- 程书博张金利张义政吴亚光王维
- 关键词：封装材料灌封材料
