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罗波

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 16篇功率器件
  • 15篇半导体
  • 14篇半导体功率器...
  • 10篇高压器件
  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 6篇寄生效应
  • 5篇芯片
  • 5篇薄层
  • 4篇单片
  • 4篇单片集成
  • 4篇等离子平板显...
  • 4篇低压CMOS
  • 4篇平板显示
  • 4篇平板显示器
  • 4篇驱动芯片
  • 4篇显示器
  • 4篇刻蚀
  • 4篇二极管
  • 3篇氧化层

机构

  • 24篇电子科技大学
  • 2篇深圳市联德合...

作者

  • 24篇罗波
  • 22篇张波
  • 20篇乔明
  • 14篇蒋苓利
  • 8篇杨帆
  • 8篇刘新新
  • 6篇胡曦
  • 5篇廖红
  • 5篇段双亮
  • 5篇傅达平
  • 4篇程鹏铭
  • 4篇方健
  • 4篇叶俊
  • 4篇李肇基
  • 4篇王卓
  • 3篇王亮亮
  • 3篇张弦
  • 3篇关旭
  • 3篇王凯
  • 3篇刘哲

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 6篇2011
  • 8篇2010
  • 8篇2009
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区...
乔明胡曦罗波叶俊蒋苓利傅达平段双亮张波
等离子平板显示器驱动芯片用高压器件
等离子平板显示器驱动芯片用高压器件，属于半导体功率器件领域。在衬底、埋氧层和SOI层上建立高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件和高压nLIGBT器件，用深槽介质隔离区分开。处于衬底和SOI层中间的埋氧层和深槽介质隔...
乔明杨帆廖红蒋苓利程鹏铭刘新新罗波张波
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用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件
本发明实施例公开了一种用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，自下而上依次包括：衬底、埋氧层、n型SOI层，所述SOI层中集成HV-NMOS、HV-PMOS、Field-PMOS、LIGBT、CMOS、NPN、PNP和HV...
乔明罗波胡曦叶俊张波李肇基
一种两次刻蚀单层多晶硅的高功率BCD工艺
一种两次刻蚀单层多晶硅的高功率BCD工艺，属于半导体器件及集成电路，具体涉及BCD器件的制造方法。包括衬底预氧、NBL、PBL；外延生长；ISO；Nsink；PCH和NCH注入；栅氧化层生长；PBASE、PBODY1和P...
方健毛焜刘哲张弦王凯尹德阳王亮亮薛方俊罗波关旭张波
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一种薄层SOI复合功率器件
一种薄层SOI复合功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在单片SOI衬底上至少集成了一个高压PMOS器件、一个高压NMOS器件和一个低压CMOS晶体管。所述高压PMOS器件和高压NMOS器件表面具有在宽度方向上交错...
乔明罗波赵远远胡曦张波
一种薄层SOI复合功率器件
一种薄层SOI复合功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在单片SOI衬底上至少集成了一个高压PMOS器件、一个高压NMOS器件和一个低压CMOS晶体管。所述高压PMOS器件和高压NMOS器件表面具有在宽度方向上交错...
乔明罗波赵远远胡曦张波
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等离子平板显示器扫描驱动芯片用高压器件
等离子平板显示器扫描驱动芯片用高压器件属半导体功率器件领域。在衬底、埋氧层和SOI层上建立高压nLIGBT、高压nLDMOS、高压pLDMOS和低压CMOS，用介质隔离区分开。埋氧层处于衬底和SOI层中间，SOI层厚度仅...
乔明杨帆刘新新蒋苓利罗波张波
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一种薄层SOI LIGBT器件
一种薄层SOI LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层厚度为1μm～2μm，在体区与漂移区之间做有空穴势垒层，将空穴最大限度“挡”在漂移区内，从而增加漂移区中靠阴极侧的空穴浓度，降低器件导通损耗。在空穴...
乔明罗波廖红蒋苓利王卓张波
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一种单晶型结型场效应管器件及其制备方法
本发明涉及一种单晶型结型场效应管器件，其包括第一型杂质衬底及在第一型杂质衬底上形成的结型场效应管、泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元，所述泄漏电流补偿单元及正向箝位二极管单元连接在结型场效应管的任意两极之间。为了使传声...
乔明罗波赵远远张波
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一种功率器件集成电路
一种功率器件集成电路，属于半导体功率器件集成技术领域。本发明提供的功率器件集成电路，包括同一硅片上集成的两个或多个功率器件；所述两个或多个功率器件下方的衬底通过衬底刻蚀技术刻蚀掉；所述两个或多个功率器件在具体功率集成电路...
乔明罗波杨帆刘新新蒋苓利程鹏铭张波
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