曹雷团
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京航天长征飞行器研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 电源芯片60Co伽马射线总剂量辐照特性初探
- 对TI公司生产的TPS5461X和TPS5120电源芯片进行了动态<'60>Co伽马射线总剂量辐照试验,获得了其输出电压的辐照特性,并检测了测试电路板的工作电流,对TPS5461X和TPS5120电源芯片的辐照特性进行了...
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- 关键词：电源芯片总剂量电离辐射
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- 高性能电源芯片瞬时辐射效应初探
- 对TI公司生产的高性能电源芯片TPS54616进行了X、γ瞬时辐射试验,对其辐射效应机理进行了研究,并提出加固措施,为后续高性能电源芯片的应用奠定了基础。
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- 关键词：电源芯片
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- RS-422传输接口电磁脉冲损伤效应加固研究
- 电磁脉冲对通信系统的前门耦合危害最大,其损伤方式与外场脉冲波形、能量和感应电流的波形、能量等诸多因素有关.本文介绍了计算机所用典型RS-422通信传输接口电路在HEMP、HPM、UWB辐射场下的损伤试验,对计算机对外通信...
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- 关键词：电磁脉冲通信接口计算机
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- 过程信息处理系统中子辐射效应研究
- 本文从数字电路中子损伤机理分析入手,针对抗辐射性能需求,围绕信息处理系统设计了辐照测试系统,主要测试信息处理系统在中子混合场辐照环境下工作的稳定性和可靠性,经过试验研究,对信息处理系统中子位移效应有了基本的了解,分析系统...
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- 关键词：中子辐照
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- 不同应用状态下80C196KC单片机γ总剂量效应异同性研究
- 本文以intel公司生产的80C196KC20为主要试验件,分别在程控计算机系统和单片机测试系统上进行γ总剂量试验,比较两系统之间的总剂量损伤差异,进一步探讨80C196KC20的总剂量损伤效应。
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- 关键词：80C196KC单片机总剂量效应抗辐射加固
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- 典型计算机组件不同脉宽瞬时辐射效应研究
- 对程控系统典型组件80C196KC20单片机的不同脉宽瞬时电离辐射效应进行研究,分析了不同脉宽辐射环境下典型组件的闭锁阈值和效应差异,对损伤现象和规律以及损伤机理进行研究。为后续单片机抗辐射加固设计和弹上应用提供技术支持...
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- 关键词：微处理器电离辐射抗辐射加固
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