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文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇增强器
  • 2篇透射
  • 2篇透射式
  • 2篇稳定性
  • 2篇像增强器
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度
  • 2篇近贴聚焦
  • 2篇光电
  • 2篇光电发射
  • 2篇
  • 1篇旋动
  • 1篇真空室
  • 1篇熔液
  • 1篇微光像增强器
  • 1篇微通道板
  • 1篇级联
  • 1篇焊料
  • 1篇合金
  • 1篇合金层

机构

  • 5篇北方夜视科技...
  • 1篇西安应用光学...

作者

  • 5篇徐江涛
  • 5篇刘蓓蓓
  • 4篇程耀进
  • 4篇李敏
  • 4篇刘峰
  • 2篇师宏立
  • 2篇张太民
  • 2篇侯志鹏
  • 1篇徐珂
  • 1篇杨天海
  • 1篇杨晓军
  • 1篇闫磊
  • 1篇张晓辉
  • 1篇李丹

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇应用光学
  • 1篇真空电子技术

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
GaAs-玻璃粘接透射式阴极光电发射在线稳定性研究
2013年
为了寻找三代像增强器管内阴极灵敏度下降产生的原因,用质谱计作为质量监测手段,通过对阴极原子级洁净表面获得、阴极激活铯、氧提纯工艺参数优化研究,所制备的透射式GaAs阴极光电发射稳定性进行在线考核试验,结果表明,优化工艺激活的光电阴极在真空度10-9Pa,主要残气为H2、N2、Ar的超高真空度中存放500 h,灵敏度稳定。铟封到管内阴极灵敏度下降与真空度降低和有害气体污染有关,不是阴极自身的问题,重点应开展制管工艺质量对灵敏度影响分析研究。
徐江涛程耀进张太民李敏刘蓓蓓刘峰
关键词:透射式光电发射
三代像增强器透射式GaAs阴极光电发射稳定性研究
2013年
为了解决三代像增强器管内阴极灵敏度下降问题,用质谱计对激活工艺过程进行质量检测,并确定了激活工艺参数,通过对阴极原子级洁净表面获得和激活铯、氧提纯工艺参数优化研究,对制备的透射式GaAs阴极光电发射稳定性进行在线试验,结果表明:在10-9 Pa真空环境中,优化工艺激活的光电阴灵敏度(1 500μA/lm)稳定,而且500h不下降,铟封到管内的阴极灵敏度下降与真空度降低和有害气体污染有关。
徐江涛程耀进刘峰李敏刘蓓蓓
关键词:透射式光电发射稳定性
波动式管体焊料真空浇注器
本发明公开了一种波动式真空浇注器,用于微光像增强器铟封工艺。该浇注器包括带旋钮和压杆的波动导向组件、带闸门杆、焊料池的焊料池组件、管体定位夹具和进料筒。使用时,焊料池、管体分别通过波动导向组件和管体定位夹具以分离方式固定...
徐江涛程耀进侯志鹏张晓辉闫磊刘蓓蓓杨天海刘峰师宏立李敏祝婉娉
文献传递
近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析
2011年
为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。
徐江涛程耀进张太民李敏师宏立刘蓓蓓侯志鹏刘峰祝婉娉
关键词:近贴聚焦成像器件
V型级联微通道板纳秒响应近贴聚焦像增强器研究
2015年
为解决单片微通道板(MCP)近贴聚焦像增强器在强脉冲光照射下输出图像失真、脉冲响应时间慢的问题,对光电阴极面电子发射过渡过程进行理论分析,得出半导体阴极发射层电阻大、光电阴极和荧光屏与MCP间的距离大、器件增益低是造成器件响应时间慢的主要根源。因此采用在阴极发射层底面真空蒸镀100 nm厚半透明金属导电膜、阴极与MCP输入面间距从0.4减小到0.15 mm、荧光屏与MCP间距从0.8减小到0.5 mm和双MCP级联等措施,制成了脉冲时间小于2 ns,增益达到106的纳秒响应像增强器,满足了核技术研究需求。文章中给出了像增强器的结构、技术指标及器件改进前后的时间响应曲线,并指出了器件的应用前景。
徐江涛杨晓军徐珂刘蓓蓓李丹
关键词:像增强器微通道板
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