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江宏富

作品数：18 被引量：7H指数：1
供职机构：江苏中能硅业科技发展有限公司更多>>
相关领域：化学工程理学经济管理更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇理学

主题

  • 8篇多晶
  • 8篇多晶硅
  • 6篇反应器
  • 4篇硅
  • 3篇等离子发生器
  • 3篇电极
  • 3篇液态硅
  • 3篇正三角形
  • 3篇籽晶
  • 3篇尾气
  • 3篇流化床反应器
  • 3篇还原炉
  • 3篇惰性气体
  • 3篇感应加热装置
  • 3篇高纯
  • 3篇承载器
  • 2篇点阵
  • 2篇氧化剂
  • 2篇原子
  • 2篇原子态

机构

  • 18篇江苏中能硅业...
  • 1篇南京大学

作者

  • 18篇江宏富
  • 10篇钟真武
  • 8篇陈文龙
  • 6篇陈其国
  • 6篇吴锋
  • 4篇周舟
  • 3篇蒋立民
  • 3篇蒋文武
  • 3篇马军
  • 3篇王小军
  • 3篇吕磊
  • 3篇王荣跃
  • 1篇高建
  • 1篇郄丽曼
  • 1篇于伟华

传媒

  • 1篇化工管理
  • 1篇氯碱工业

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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流化床反应器及其用于制备高纯粒状多晶硅的方法
本发明公开了一种流化床反应器及其用于制备高纯粒状多晶硅的方法，包括反应管、分布器和加热装置，所述反应管和位于反应管底部的分布器构成反应室，所述分布器设有气体进口和产品出口，所述反应管顶部或上部设有尾气出口和籽晶进料口，其...
蒋文武江宏富吴锋钟真武陈文龙
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用于生产多晶硅的反应器
本发明公开了一种用于生产多晶硅的反应器，其包括含有冷却设施的炉筒、底盘、以及位于所述底盘上的电极、原料进气口和排气口，其特征在于除了最外部靠近炉筒的电极外，每个电极在150mm~300mm处具有四个或五个其他的相邻电极和...
江宏富钟真武陈文龙王小军吴锋陈其国
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液态硅生产装置及方法
本发明公开了一种液态硅生产装置及方法，该装置包括依次连接的等离子发生器、反应器、硅液承载器和尾气分离系统，在反应器内依次存在气体冷凝区、液滴形成区和液滴生长区。该方法是使物料在装置内进行原子态物料‑微小硅液滴‑大的硅液滴...
江宏富蒋立民马军王荣跃吕磊周舟
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一种高效节能的多晶硅制备工艺及装置
本发明涉及一种多晶硅制备工艺和用于本工艺的多晶硅制备装置，制备工艺是在自蔓延燃烧反应器，采用卤化盐为氧化剂，化学元素周期表IA、IIA族元素或其合金为还原剂，连续式生产高纯多晶硅，并可在生产过程中连续铸造多晶硅锭。具有原...
朱共山江宏富
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一种氮化硅粉的生产方法
本发明公开了一种氮化硅粉的生产方法，包括：1）以四氯化硅和氨气为原料，反应合成氮化硅的前驱体Si(NH)<Sub>2</Sub>固体，通过得到纯净的Si(NH)<Sub>2</Sub>粉末；2）将Si(NH)<Sub>2...
王亮孟祥曼江宏富王敬强李前程郄丽曼
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液态硅生产装置及方法
本发明公开了一种液态硅生产装置及方法，该装置包括依次连接的等离子发生器、反应器、硅液承载器和尾气分离系统，在反应器内依次存在气体冷凝区、液滴形成区和液滴生长区。该方法是使物料在装置内进行原子态物料‑微小硅液滴‑大的硅液滴...
江宏富蒋立民马军王荣跃吕磊周舟
一种高效节能的多晶硅制备装置
本实用新型涉及一种高效节能的多晶硅制备装置，包括由反应器内衬和外壳限定的中空腔体，所述内衬与包裹内衬的外壳中间填充有保温材料，所述中空腔体的顶端设有还原剂进料管、氧化剂进料管和尾气出口，所述中空腔体的底端设有主、副产物出...
江宏富
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流化床反应器及其用于制备高纯粒状多晶硅的方法
本发明公开了一种流化床反应器及其用于制备高纯粒状多晶硅的方法，包括反应管、分布器和加热装置，所述反应管和位于反应管底部的分布器构成反应室，所述分布器设有气体进口和产品出口，所述反应管顶部或上部设有尾气出口和籽晶进料口，其...
蒋文武江宏富吴锋
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多晶硅制备中节能降耗技术的研究被引量：6
2012年
探讨改良西门子法多晶硅工艺中副产物的综合利用、优化沉积工艺、优化与开发新型高效节能大型还原炉和新型高反射涂层等技术对多晶硅生产中节能降耗的影响,指出将目前已普遍使用和发展成熟的过程强化技术应用于多晶硅制备,可进一步降低多晶硅的制备成本。
陈其国钟真武高建于伟华陈文龙江宏富
关键词：多晶硅节能降耗
一种多晶硅制备方法
本发明公开了一种多晶硅的制备方法，其包括在还原炉反应器内，原料三氯氢硅与高纯氢气在1050-1250℃高温、0~0.8MPa条件下发生化学气相沉积反应，并在发热的硅芯表面沉积多晶硅的步骤，其特征在于所述化学气相沉积过程中...
江宏富钟真武
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