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吴平

作品数:19 被引量:12H指数:2
供职机构:西北核技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信文化科学化学工程更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 12篇磁场
  • 6篇电子束
  • 6篇高功率微波
  • 5篇低磁场
  • 5篇均匀磁场
  • 3篇电子轰击
  • 3篇相对论返波管
  • 3篇返波管
  • 2篇电极
  • 2篇电极结构
  • 2篇数对
  • 2篇强电
  • 2篇强电磁场
  • 2篇轴向磁场
  • 2篇做功
  • 2篇作用效率
  • 2篇微柱
  • 2篇相位
  • 2篇相位差
  • 2篇冷阴极

机构

  • 19篇西北核技术研...
  • 1篇国防科学技术...
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 19篇吴平
  • 13篇孙钧
  • 8篇曹亦兵
  • 7篇宋志敏
  • 6篇史彦超
  • 5篇陈昌华
  • 4篇滕雁
  • 3篇肖仁珍
  • 2篇柯昌凤
  • 2篇李爽
  • 2篇张余川
  • 2篇刘文元
  • 2篇王东阳
  • 2篇谭维兵
  • 1篇白书欣
  • 1篇李春霞
  • 1篇陈兴宇
  • 1篇万红
  • 1篇华叶
  • 1篇叶虎

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇现代应用物理
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇第九届全国高...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 5篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
表面微结构对碳化硅晶须掺杂石墨阴极爆炸电子发射性能的影响被引量:5
2016年
爆炸发射阴极已广泛应用于高功率微波源,但常规场致爆炸发射阴极存在使用寿命短或电子发射不均匀的问题,改善阴极材料是解决这一问题的有效途径.本文将碳化硅晶须掺杂到石墨中制备得到阴极,从二极管电流波形上升沿和输出微波脉宽产生的变化着手,分析了碳化硅晶须掺杂石墨阴极表面材料成分和微观形貌对其电子发射性能的影响机理.研究发现,碳化硅晶须的存在,不仅有利于阴极场发射的快速启动、发射微点数目增多,还有利于降低等离子体膨胀速度、抑制脉冲缩短现象,使得输出微波脉宽增大.随着脉冲发射数量增多,碳化硅晶须掺杂石墨阴极表面被等离子体不断"抛光",微凸起形状因子减小、均匀性提高,场发射启动速度减慢,但输出微波脉宽增大.
华叶万红陈兴宇吴平白书欣
关键词:碳化硅晶须电子发射性能
一种减小电子束径向振荡相位差的方法
本发明属于高功率微波技术领域,公开了一种减小电子束径向振荡相位差的方法,该方法立足于提高冷阴极爆炸发射电子初始相位的一致性,部分解决低引导磁场条件下爆炸发射电子速度离散引起的径向振荡问题。所述减小电子束径向振荡相位差的方...
张广帅孙钧吴平宋志敏范志强曹亦兵
文献传递
一种表面具有金属微柱阵列的电极及其制备方法
本发明公开了一种表面具有金属微柱阵列的电极及其制备方法。该电极的表面为直径在数十微米到数百微米量级的金属微柱阵列结构。相比于平面电极结构,本发明的电极结构能够在每个金属微柱的顶端增强电场,在高电压的作用下,每个金属微柱均...
柯昌凤刘文元霍艳坤吴平程军
无箔二极管参数对电子束包络的影响被引量:1
2018年
针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。
吴平张广帅孙钧孙钧宋志敏
关键词:高功率微波低磁场
一种减小电子束径向振荡相位差的方法
本发明属于高功率微波技术领域,公开了一种减小电子束径向振荡相位差的方法,该方法立足于提高冷阴极爆炸发射电子初始相位的一致性,部分解决低引导磁场条件下爆炸发射电子速度离散引起的径向振荡问题。所述减小电子束径向振荡相位差的方...
张广帅孙钧吴平宋志敏范志强曹亦兵
文献传递
一种阳极静电屏蔽凹槽结构抑制回流二极管
本发明涉及一种阳极静电屏蔽凹槽结构抑制回流二极管,属于真空电子技术领域,延缓零场区产生的离子或者带电粉尘运动至阴极引杆的技术问题,其包括阴极、阳极、凹槽结构。凹槽结构设置在阳极回流轰击区域,包括A部分和B部分,均为金属材...
苗天泽肖仁珍史彦超吴平孙钧张余川陈坤杨以航
一种抑制无箔二极管中电子束回流的方法
本发明属于高功率微波技术领域,公开了一种抑制无箔二极管中电子束回流的方法,该方法在无箔二极管中应用斜面阴极,并将其完全浸没在均匀轴向磁场中;斜面阴极为与二极管同轴的回转体结构,斜面阴极的平顶段、直段与二极管轴线平行,前斜...
张广帅孙钧肖仁珍史彦超吴平谭弄潮
文献传递
不锈钢电子束收集极的损伤能量密度阈值
对强磁场相对论返波管系统中电子束收集极损伤的主要影响因素进行了分析,通过设计并使用锥面不锈钢收集极,提高了收集极的耐电子束轰击能力。在单次实验条件下,研究了电子束能量密度对不锈钢收集极表面损伤及系统产生微波的影响,结合对...
霍少飞孙钧梁玉钦陈昌华吴平张晓微
关键词:不锈钢高能量密度损伤阈值高功率微波
一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法
本发明为一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法,即在圆柱漂移管z<Sub>0</Sub>≤z≤z<Sub>1</Sub>范围内,施加沿‑r方向的径向电场,在均匀磁场的约束下,电子进行拉莫尔回旋运动,经过施加局部电场的区...
张广帅孙钧吴平曹亦兵宋志敏陈昌华
文献传递
一种工作在基模的低磁场Ka波段RBWO优化设计
2019年
为研制低磁场条件下的高功率毫米波源,对工作在TM_(01)模的Ka波段相对论返波管(RBWO)开展了深入研究。首先通过理论计算,分析了慢波结构的色散特性及耦合阻抗特性,获得了工作在基模的RBWO结构的基本参数。然后结合数值模拟方法,对器件的工作条件进行了深入分析,对整管进行了数值模拟。结果显示,该结构能够产生的输出功率约为400 MW,微波频率约为28.4GHz,工作效率约为31%。器件的起振小于5ns,产生的模式纯净,工作稳定性较好。
李爽李爽滕雁吴平王东阳
关键词:KA波段低磁场毫米波相对论返波管色散特性
共2页<12>
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