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胡晓龙

作品数：52 被引量：26H指数：4
供职机构：华南理工大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 39篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 9篇衬底
  • 8篇氮化
  • 8篇氮化物
  • 8篇电镀
  • 8篇金属
  • 8篇化物
  • 8篇反射镜
  • 8篇分布布拉格反...
  • 8篇分布布拉格反...
  • 8篇布拉格反射镜
  • 7篇谐振腔
  • 7篇晶体
  • 7篇激光
  • 7篇发光
  • 6篇氮化镓
  • 6篇退火
  • 6篇金属掺杂
  • 6篇金属基板
  • 6篇基板
  • 6篇GAN

机构

  • 44篇华南理工大学
  • 9篇厦门大学
  • 2篇广州现代产业...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中山市华南理...

作者

  • 52篇胡晓龙
  • 36篇王洪
  • 15篇黄华茂
  • 8篇齐赵毅
  • 7篇张江勇
  • 7篇刘文杰
  • 6篇张保平
  • 5篇刘丽
  • 5篇应磊莹
  • 4篇蔡镇准
  • 2篇赵卓立
  • 2篇揭敢新
  • 2篇刘丽
  • 1篇胡金勇
  • 1篇吕雪芹

传媒

  • 6篇发光学报
  • 2篇光学与光电技...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 3篇2024
  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 7篇2018
  • 7篇2017
  • 11篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2010
共 52 条 记 录，以下是 1-10
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一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法
本发明公开一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法。LED芯片的结构从下到上依次为金属基板、电镀种子层、反射电极层、p型氮化镓层、有源层、n型氮化镓层、二维光子晶体结构和n型金属电极；所述金属基板由高导热的金属组成...
胡晓龙王洪齐赵毅黄华茂
基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件
本发明涉及基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件，该绿光器件利用Tamm等离激元来提高绿光器件的发光效率，在器件结构上通过在有源区下方采用分布布拉格反射镜(DBR)，并在有源区的上面设置p型接触层，并通过控制p型接触层的厚...
胡晓龙郑义栋肖福安齐卓豪
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一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片
本实用新型公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本实用新型的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p‑GaN层、量子阱层和n‑GaN层，在p‑GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n‑GaN层上面是介质...
黄华茂杨倬波王洪胡晓龙
文献传递
基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片
本实用新型公开了基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n‑GaN层、量子陷层、p‑AIGaN层、p‑GaN层、金属掺杂ITO透明导电薄层、金属电极和钝化保护层，所述蓝宝...
王洪文茹莲胡晓龙
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基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件
本实用新型涉及基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件，该绿光器件利用Tamm等离激元来提高绿光器件的发光效率，在器件结构上通过在有源区下方采用分布布拉格反射镜(DBR)，并在有源区的上面设置p型接触层，并通过控制p型接触层...
胡晓龙郑义栋肖福安齐卓豪
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金属掺杂ITO透明导电薄膜的制备及应用
2018年
研究制备了一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜。通过研究掺杂不同的金属及不同的金属厚度,对比在500℃和600℃退火条件下的透过率和方块电阻变化,并利用这种掺杂的ITO薄膜制备成14mil×28mil正装395nm UV LED芯片。利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试以及对比。实验结果表明:掺3nm金属Al和Ti的ITO薄膜在600℃退火后方块电阻最大降低6.2Ω/,透过率在395nm处最大达91.2%。在120mA注入电流下,395nmLED电压降低0.5V,功率提升19.7%。ITO薄膜掺杂金属能够影响薄膜性能,提升紫光LED光电性能。
文如莲胡晓龙梁思炜王洪
关键词：导电薄膜退火
一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法
本发明公开一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法。LED芯片的结构从下到上依次为金属基板、电镀种子层、反射电极层、p型氮化镓层、有源层、n型氮化镓层、二维光子晶体结构和n型金属电极；所述金属基板由高导热的金属组成...
胡晓龙王洪齐赵毅黄华茂
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基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法
本发明公开基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法，包括：在p型GaN上依次制作欧姆接触层、金属层，并制作新的支撑基底；在抛光后的蓝宝石表面按LED芯片尺寸进行激光刻槽，槽深度至所述新的支撑基底；将放置有掩膜板...
胡晓龙王洪黄华茂
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新型金属掺杂ITO透明导电薄膜及其制备方法
本发明公开了新型金属掺杂ITO透明导电薄膜及其制备方法。本发明的透明导电薄膜是通过先生长一层ITO薄膜后生长掺杂金属薄膜，再一起通过高温退火后而形成，得到的透明导电薄膜在ITO透明导电薄膜基础上，具有更大的薄膜光学透过率...
王洪胡晓龙文茹莲
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基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件
本发明涉及基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件，该绿光器件利用Tamm等离激元来提高绿光器件的发光效率，在器件结构上通过在有源区下方采用分布布拉格反射镜(DBR)，并在有源区的上面设置p型接触层，并通过控制p型接触层的厚...
胡晓龙郑义栋肖福安齐卓豪
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