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文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶材料
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇真空
  • 1篇真空退火
  • 1篇体积
  • 1篇体积分数
  • 1篇退火
  • 1篇普通光学显微...
  • 1篇碲锌镉
  • 1篇碲锌镉晶体
  • 1篇显微镜
  • 1篇化学试剂
  • 1篇机械加工
  • 1篇积分
  • 1篇AU
  • 1篇CDTE
  • 1篇HGCDTE

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 2篇沈灏
  • 1篇周梅华
  • 1篇周昌鹤
  • 1篇孙常鸿
  • 1篇徐超
  • 1篇杨建荣
  • 1篇虞慧娴
  • 1篇孙士文
  • 1篇周松敏
  • 1篇林春
  • 1篇魏彦峰
  • 1篇王云
  • 1篇陆丞
  • 1篇王溪

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2015
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法
本发明公开了一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法,该方法先使用体积分数为3%-5%的溴甲醇溶液,对单晶材料(111)B面进行30-60分钟的化学减薄,去除材料加工损伤层,获得表面光亮平整的样品。再使用Everson腐蚀液...
虞慧娴沈灏王云陆丞周梅华孙士文杨建荣周昌鹤徐超
文献传递
真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响被引量:1
2018年
对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现,退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态,使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后,真空条件下退火,240℃和300℃对Au掺杂的浓度分布改变不大,Au掺杂的浓度几乎不变.但是,温度的不同会对汞空位的浓度产生显著的影响,因此退火温度不同会使载流子浓度明显不同.退火温度从240℃升高至300℃后,霍尔测试得到的载流子浓度从2×10^(16)cm^(-3)左右升高至5.5×1016cm^(-3)左右.
王溪王溪周松敏孙常鸿魏彦峰沈灏
关键词:退火载流子浓度
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