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沈灏
沈灏
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海技术物理研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王溪
中国科学院上海技术物理研究所
魏彦峰
中国科学院上海技术物理研究所
林春
中国科学院上海技术物理研究所
周松敏
中国科学院上海技术物理研究所
孙常鸿
中国科学院上海技术物理研究所
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作者
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沈灏
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周梅华
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孙常鸿
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1篇
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一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法
本发明公开了一种快速揭示碲锌镉晶体各类缺陷的方法,该方法先使用体积分数为3%-5%的溴甲醇溶液,对单晶材料(111)B面进行30-60分钟的化学减薄,去除材料加工损伤层,获得表面光亮平整的样品。再使用Everson腐蚀液...
虞慧娴
沈灏
王云
陆丞
周梅华
孙士文
杨建荣
周昌鹤
徐超
文献传递
真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响
被引量:1
2018年
对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现,退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态,使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后,真空条件下退火,240℃和300℃对Au掺杂的浓度分布改变不大,Au掺杂的浓度几乎不变.但是,温度的不同会对汞空位的浓度产生显著的影响,因此退火温度不同会使载流子浓度明显不同.退火温度从240℃升高至300℃后,霍尔测试得到的载流子浓度从2×10^(16)cm^(-3)左右升高至5.5×1016cm^(-3)左右.
王溪
王溪
周松敏
孙常鸿
魏彦峰
沈灏
关键词:
退火
载流子浓度
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