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古云飞
古云飞
作品数:
10
被引量:1
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
经济管理
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合作作者
程武
电子科技大学
陈万军
电子科技大学
张波
电子科技大学
李震洋
电子科技大学
刘超
电子科技大学
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电子电信
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经济管理
主题
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半导体
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2篇
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2篇
总剂量
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晶闸管
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绝缘栅
2篇
绝缘栅双极型...
机构
10篇
电子科技大学
作者
10篇
古云飞
9篇
张波
9篇
陈万军
9篇
程武
8篇
李震洋
7篇
刘超
2篇
肖琨
2篇
蒋华平
2篇
杨骋
年份
2篇
2018
2篇
2017
3篇
2016
3篇
2015
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一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法
本发明属于功率半导体器件领域,具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管,在电流密度较低时,其可以起到电子势垒的作用,从而减小了N阳极区的元胞长度,减小其有效面积,通过大幅...
陈万军
李震洋
蒋华平
刘超
古云飞
程武
张波
一种槽栅双极型晶体管
本发明属于半导体器件技术领域,具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案是在常规的CSTBT载流子储存层中插入数个贯穿载流子存储层的掺杂浓度较高的P型条。与常规CSTBT相比,插入的P型条能对槽栅边缘附近的电场进...
陈万军
刘超
娄伦飞
唐血锋
程武
古云飞
张波
文献传递
一种功率器件结终端结构
本发明涉及功率半导体技术领域,特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层,并且环上方两侧均存在多晶硅场板,由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异,因而两侧多晶硅场...
陈万军
古云飞
刘超
程武
李震洋
张波
IGBT的辐照效应仿真分析与加固研究
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)以其优良的频率特性和控制能力成为电力电子技术领域广泛关注的对象。其具有的MOS栅和双极型晶体管混合结构使得其具有了更好的导通压降、开关频率折中...
古云飞
关键词:
IGBT器件
总剂量效应
单粒子效应
一种MOS栅控晶闸管及其制造方法
本发明涉及半导体技术,特别涉及一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明将器件阴极改进为P型半导体基区和N型半导体源区组成的P-N结两层结构,相对于常规MGT阴极P-N-P三层结构,本发明的阴极P-N结两层结构使用两重扩散...
陈万军
刘超
古云飞
程武
李震洋
肖琨
杨骋
张波
一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明采用的技术方案通过设置在P-body区中的N型重掺杂层9,使器件成为深埋发射极沟槽型IGBT,相当于引入了达林顿管,如图5所示,在开启过程中...
陈万军
程武
古云飞
李震洋
张波
文献传递
一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法
本发明属于功率半导体器件领域,具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管,在电流密度较低时,其可以起到电子势垒的作用,从而减小了N阳极区的元胞长度,减小其有效面积,通过大幅...
陈万军
李震洋
蒋华平
刘超
古云飞
程武
张波
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一种功率器件结终端结构
本发明涉及功率半导体技术领域,特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层,并且环上方两侧均存在多晶硅场板,由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异,因而两侧多晶硅场...
陈万军
古云飞
刘超
程武
李震洋
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一种MOS栅控晶闸管的制造方法
本发明涉及半导体技术,特别涉及一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明将器件阴极改进为P型半导体基区和N型半导体源区组成的P‑N结两层结构,相对于常规MGT阴极P‑N‑P三层结构,本发明的阴极P‑N结两层结构使用两重扩散...
陈万军
刘超
古云飞
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一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明采用的技术方案通过设置在P‑body区中的N型重掺杂层9,使器件成为深埋发射极沟槽型IGBT,相当于引入了达林顿管,如图5所示,在开启过程中...
陈万军
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