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郭志新

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：湘潭大学物理与光电工程学院更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”湖南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇锗烯
  • 1篇硅烯
  • 1篇GAAS表面
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇湘潭大学

作者

  • 1篇曹觉先
  • 1篇丁建文
  • 1篇肖思国
  • 1篇郭志新
  • 1篇张弦

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs(111)表面硅烯、锗烯的几何及电子性质研究被引量：2
2015年
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统研究了硅烯、锗烯在GaAs(111)表面的几何及电子结构.研究发现,硅烯、锗烯均可在As-中断和Ga-中断的GaAs(111)表面稳定存在,并呈现蜂窝状六角几何构型.形成能计算结果证明了其实验制备的可行性.同时发现硅烯、锗烯与GaAs表面存在共价键作用,这破坏了其Dirac电子性质.进一步探索了利用氢插层恢复硅烯、锗烯Dirac电子性质的方法.发现该方法可使As-中断面上硅烯、锗烯的Dirac电子性质得到很好恢复,而在Ga-中断面上的效果不够理想.此外,基于原子轨道成键和杂化理论揭示了GaAs表面硅烯、锗烯能带变化的物理机理.研究结果为硅烯、锗烯在半导体基底上的制备及应用奠定了理论基础.
张弦郭志新曹觉先肖思国丁建文
关键词：硅烯锗烯GAAS表面
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共1页<1>
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