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石墨烯-CdTe量子点复合材料的电化学发光传感器研究被引量：1: 2017年; 以巯基丁二酸为修饰剂制备了CdTe量子点(CdTe QDs),采用微波辐射法还原氧化石墨且通过加入聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)得到带正电荷的石墨烯,并与带负电荷的CdTe QDs通过静电作用结合得到石墨烯-CdTe量子点复合材料(CdTe QDs/RGO-PDDA)复合物。研究了不同取样时间下CdTe QDs的电化学发光性能,并考察了扫描速度、共反应剂浓度和缓冲溶液pH值对CdTe QDs电化学发光强度的影响,通过对CdTe QDs/RGO-PDDA复合物电化学发光的研究,得出石墨烯的加入可以提高CdTe QDs电化学发光的强度和稳定性;最后基于CdTe QDs/RGO-PDDA构建了对Ag^+检测的电化学发光传感器,该传感器具有较强的抗干扰性,并得出线性回归方程为Y=10007.25-172.12X,线性回归系数R^2=0.9861。; 张志秋张纪梅张坤马庆运; 关键词：CDTE量子点石墨烯电化学发光 AG^+

N掺杂石墨烯量子点的制备及在Fe^(3+)检测中的应用研究被引量：4: 2016年; 研究了用热解柠檬酸制备发蓝光的石墨烯量子点(GQDs),并在此基础上,用(NH4)2CO3作N源,在水热条件下制备N掺杂石墨烯量子点(N-GQDs)。通过透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、紫外-可见吸收光谱仪(UV-Vis)、荧光光谱仪等对样品的结构和光学性能进行表征。此外,基于荧光淬灭原理,利用N-GQDs构建了一种检测Fe3+的荧光探针。研究表明,N-GQDs的荧光强度随Fe3+浓度的增大而降低,在0~60μmol/L范围内,N-GQDs荧光强度与Fe3+浓度有较好的线性关系,且该探针的检测限低达0.925μmol/L。; 张坤张志秋马庆运张纪梅; 关键词：N 掺杂 FE^3+

水溶性CdTe∶Zn量子点的合成和表面修饰被引量：4: 2015年; 通过高压反应釜辅助水相法快速且低成本地合成了荧光量子产率高、粒径均匀、纯度高以及光稳定良好的掺杂Zn的CdTe量子点,不仅降低了CdTe量子点的毒性,而且减少了对环境的污染。并且通过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外分光光度计和荧光分光光度计对产物进行了表征。同时通过单因素实验,在制备过程中对CdTe∶Zn量子点的合成条件(包括pH、反应温度、反应物中Cd与Te,Cd与Zn的比例和配体巯基丙酸(MPA)含量等)进行优化得到了最佳的合成条件,即摩尔比Cd∶Te∶MPA=1.0∶0.5∶2.4,摩尔比Cd∶Zn=1.0∶1.0,pH=11和T=120℃,通过优化CdTe∶Zn量子点的合成条件不仅提高了纳米晶的质量,而且大幅度缩短了制备量子点的周期,且通过与CdTe量子点的比较得出掺杂Zn后量子点的生长速度和荧光强度均会提高。最后,采用外延生长法,在CdTe∶Zn核的表面包裹一层有更宽带隙的半导体材料ZnS,消除了量子点表面的悬空键及表面缺陷,并且对CdTe∶Zn/ZnS量子点进行了紫外和荧光表征,通过与CdTe∶Zn量子点的比较得出ZnS的加入进一步提高了量子点的荧光强度和光稳定性。; 韩鑫张纪梅张坤王曈尧; 关键词：水热合成法

双发射荧光探针在F^-离子检测中的应用: 2016年; 利用Turkevich-Frens法制备金纳米粒子,然后利用Stber法将水热条件下制备的掺杂Zn的CdTe量子点(CdTe∶Zn QDs)修饰在SiO_2微球上得到一种荧光微球。利用AuNPs和荧光微球构建双发射荧光探针,基于F-能够使荧光探针的荧光恢复的原理,实现对F-的检测。同时研究了平衡时间和pH值对该探针的影响。结果表明该探针具有较好的抗干扰性且在pH值=7.0的HEPES缓冲溶液中检测限低达149nmol/L。; 张志秋张纪梅张坤马庆运; 关键词：量子点微球氟离子荧光探针

热解柠檬酸制备石墨烯量子点及其光学性质研究被引量：4: 2017年; 通过热解柠檬酸制备发蓝光的石墨烯量子点(GQDs),并进一步水热处理得到蓝绿色荧光量子点(gGQDs)。通过紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、傅里叶变换红外光谱、X射线光电子能谱和X射线衍射对制备的GQDs的结构和光学性质进行了表征和测试;同时,讨论了不同裂解温度和裂解时间及水热处理过程的温度和时间对GQDs荧光性能的影响。; 马庆运张纪梅张坤张志秋; 关键词：柠檬酸荧光光谱

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张坤