王艳
- 作品数：3 被引量：4H指数：2
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Zn掺杂Sn_2S_3薄膜的特性被引量：2
- 2012年
- 高纯Sn和S粉按1∶0.41%(质量分数)配比,均匀掺入9%(质量分数)的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD分析显示,380℃,55min热处理得到简单正交晶系的纯Sn2S3薄膜。掺Zn 9%(质量分数)的薄膜经370℃热处理15min得到的薄膜仍属简单正交晶系。掺Zn后Sn2S3薄膜的表面均匀和致密性变好,平均晶粒尺寸从未掺Zn时的35.69nm增加到58.80nm。Sn2S3薄膜的导电类型均为N型,掺Zn后薄膜的电阻率为60.5(Ω·cm),比未掺杂时降低1个数量级。Sn2S3薄膜的直接光学带隙为1.85eV,本征吸收边为551nm;Sn2S3∶Zn 9%(质量分数)薄膜的光学带隙1.41eV,本征吸收边873nm发生红移,Sn2S3薄膜的光吸收系数均达到105cm-1。
- 李云李健王艳
- Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的制备及光学特性被引量：2
- 2011年
- 真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜（玻璃衬底），研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出5％掺Sb的薄膜经380℃热处理30min（氮气保护）得到正交晶系的Sn2S3；Sb多晶薄膜，薄膜表面颗粒大小均匀，膜面致密有轻微颗粒聚集现象。薄膜体内Sn与S化学计量比为1：1．49，掺Sb后为1：0．543，薄膜中Sn、S、SB分别以Sn2＋、Sn4＋、S2-、Sb5＋存在。纯Sn2S3薄膜的光透过率在350～500nm波长范围内基本为零，随着波长增大，光透过率增加，其直接光学带隙为2．2eV，吸收边为564nm；掺Sb后薄膜的光透率明显降低，光学带隙为1．395eV比未掺杂时减小0．805eV，吸收边发生红移为889nm。
- 王艳李健卢建丽
- 关键词：光学特性
- 掺杂及不同衬底对Sn/_2S/_3薄膜特性影响
- 单源共蒸发沉积Zn掺杂Sn2S3多晶薄膜,经氮气保护对薄膜进行热处理工艺以改善薄膜的性能,研究不同比例Zn掺杂及不同衬底对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及电学、光学特性的影响。
XRD分析给出：用配比为...
- 王艳
- 文献传递
