徐小波
- 作品数：41 被引量：13H指数：2
- 供职机构：长安大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学电气工程文化科学更多>>
- 单轴应变硅UTBB NMOSFET电子能谷占有率解析模型
- 2020年
- 超薄体和隐埋氧化层(UTBB)全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)(UTBB FDSOI简称为UTBB)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道硅膜厚度小于体硅最大耗尽层宽度,基于传统三角形势阱近似的器件建模方法已不再适用,必须重新建立基于矩形势阱近似的器件模型。基于有限高度的矩形势阱近似模型求解沟道薛定谔方程,建立了单轴应变硅UTBB NMOSFET电子能谷占有率解析模型。结果表明,应变对UTBB NMOSFET电子能谷占有率影响较大;UTBB NMOSFET电子能谷占有率随沟道载流子浓度的变化趋势与常规NMOSFET器件不同;随着器件沟道硅膜厚度的增加,无限高度的矩形势阱近似计算误差较大。所建解析模型能直接用于硅基应变UTBB MOSFET迁移率、电流等参数计算,为器件及电路设计人员提供理论依据。
- 王晓艳徐小波张林
- 关键词：解析模型
- 一种太阳能电池参数提取的方法
- 本发明提供了一种太阳能电池参数提取的算法。其基本特征在于，包含以下步骤：1)根据基尔霍夫电流定律得到理想的单二极管太阳能电池等效电路的电流电压特性方程，建立太阳能电池单二极管模型；2)利用单二极管模型中J～V曲线获得参数...
- 徐小波李瑞雪
- 文献传递
- 一种金属二次电子发射系数计算方法
- 本发明公开了一种金属二次电子发射系数计算方法，考虑入射电子在材料中散射并激发内二次电子，内二次电子向表面运动，并发生级联散射，表面处的内二次电子越过表面势垒形成二次电子发射，建立依次考虑上述过程涉及的物理机制的金属二次电...
- 胡笑钏张瑞谷文萍张赞徐小波
- 文献传递
- 一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器及环振
- 本实用新型提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度...
- 全思徐小波李演明文常保谢元斌巨永锋郝跃
- 文献传递
- 小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电压及其电流电压特性的研究
- 2012年
- 针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低(DIBL)效应、短沟道效应(SCE)和速度过冲效应,获得了强反型时小尺寸P+多晶SiGe栅应变Si pMOSFET的阈值电压模型和I-V特性模型。运用Matlab对模型进行计算,获得阈值电压随多晶SiGe栅Ge组分、栅长、氧化层厚度、弛豫SiGe虚拟衬底Ge组分、掺杂浓度以及漏源偏压的变化规律,I-V特性计算结果表明MOS器件采用Si基应变技术将有更高的输出特性。用器件仿真软件ISETCAD对模型结构进行仿真,所得结果与Matlab计算结果一致,从而证明了该模型的正确性,为小尺寸应变Si MOS器件的分析设计提供了参考。
- 屈江涛张鹤鸣胡辉勇徐小波王晓艳
- 关键词：硅锗合金应变硅阈值电压
- 一种脉冲宽度调制电流模式开关电源二次斜波补偿电路
- 本发明公开了一种脉冲宽度调制电流模式开关电源二次斜波补偿电路，包括：谐波产生电路，用于通过参考电压产生谐波信号Vramp和时钟信号CLK，以及：二次斜波补偿电路，用于根据所述的谐波信号Vramp和时钟信号CLK产生输入电...
- 张春红高恬溪肖剑张赞胡笑钏朱玮徐小波
- 文献传递
- 一种提取太阳能电池串联和并联电阻的方法
- 本发明提供了一种提取太阳能电池串联和并联电阻的方法。通过太阳能电池光伏测试仪器测量出不同光照强度下的电压和电流值及通过推演出来的迭代公式来确定串联和联电阻的值。其基本特征在于，包含以下步骤：1)根据在第三和第四象限中的p...
- 徐小波李瑞雪
- 文献传递
- GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法
- 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道...
- 全思徐小波张林谷文萍文常保闫茂德郝跃
- 文献传递
- 一种光偏振态检测芯片
- 本实用新型公开了一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，包括具有光栅区域以及四个输出端口的波导光栅耦合器，波导光栅耦合器的四个输出端口划分为相互垂直的两组，两组输出端口分别通过第一单模波导连接同一个多模干涉耦合器，并分...
- 张赞高恬溪胡笑钏徐小波张林
- 文献传递
- 一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法
- 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道...
- 全思徐小波李演明文常保谢元斌巨永锋郝跃
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