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郭海军

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电流崩塌
  • 1篇击穿电压
  • 1篇AL
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇GA
  • 1篇表面电场

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇杨银堂
  • 1篇段宝兴
  • 1篇曹震
  • 1篇袁小宁
  • 1篇袁嵩
  • 1篇李春来
  • 1篇郭海军

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
阶梯AlGaN外延新型Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN HEMTs器件实验研究
2015年
本文报道了作者提出的阶梯AlGaN外延层新型AlGaN/GaN HEMTs结构的实验结果.实验利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀栅边缘的AlGaN外延层,形成阶梯的AlGaN外延层结构,获得浓度分区的沟道2DEG,使得阶梯AlGaN外延层边缘出现新的电场峰,有效降低栅边缘的高峰电场,从而优化了AlGaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布.实验获得了阈值电压-1.5V的新型AlGaN/GaN HEMTs器件.经过测试,同样面积的器件击穿电压从传统结构的67V提高到新结构的106V,提高了58%左右;脉冲测试下电流崩塌量也比传统结构减少了30%左右,电流崩塌效应得到了一定的缓解.
袁嵩段宝兴袁小宁马建冲李春来曹震郭海军杨银堂
关键词：ALGAN/GAN表面电场击穿电压电流崩塌
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