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赵为

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：湘潭大学更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇碳基
  • 6篇铁电
  • 6篇铁电材料
  • 6篇场效应
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米管
  • 3篇电容效应
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇晶体管
  • 3篇沟道
  • 3篇场效应管
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇电耦合
  • 2篇原位
  • 2篇原子力显微镜
  • 2篇润滑
  • 2篇扫描电镜
  • 2篇力学测试
  • 2篇纳机电系统
  • 2篇可靠性

机构

  • 13篇湘潭大学

作者

  • 13篇赵为
  • 6篇曹觉先
  • 6篇张志勇
  • 4篇彭金峰
  • 4篇郑学军
  • 2篇董辉
  • 2篇张欢
  • 2篇李敏
  • 1篇张勇

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 6篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2011
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于扫描电镜原位力学测试系统的光/力/电耦合测试装置及其测试方法
本发明公开了一种基于扫描电镜原位力学测试系统的光/力/电耦合测试装置及其测试方法，原位力学测试系统包括力电双功能原位样品杆和系统控制器，力电双功能原位样品杆设置于扫描电镜的样品腔室内并与系统控制器电性连接；系统控制器与计...
郑学军李升峰赵为彭金峰董辉
基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器
本发明提供一种基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的底栅介质层；位于底栅介质层背离栅极一侧表面的碳纳米管沟道层；位于碳纳米管沟道层背离底栅介质层一侧表面的顶栅介质层；位于顶栅介质层...
刘逸为曹觉先张志勇赵为
文献传递
碳基场效应晶体管传感器
本发明涉及场效应管领域，公开一种碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的第一介质层；位于所述第一介质层背离所述栅极一侧表面的碳纳米管层；位于所述碳纳米管层背离所述第一介质层一侧表面的第二介质层；位于...
曹觉先刘逸为张志勇赵为
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一种纳米管状镁离子电池正极材料及其制备方法
本发明公开了一种基于二硫化钼/辛胺复合结构的纳米管状镁离子电池正极材料及其制备方法；该电极材料是由相互重叠的二硫化钼和辛胺纳米片组成纳米管结构。其制备方法是将硫源、钼源按预定比例溶解在无水乙醇与辛胺的混合溶液中，得到橙黄...
赵为肖凯迪
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一种表征二维材料极限剪切应力各向异性的方法
本发明公开了一种表征二维材料极限剪切应力各向异性的方法，根据弹性接触理论和界面摩擦理论建立表征二维材料极限剪切应力的实验方法模型；再结合原子力显微镜(AFM)先进模块技术和极限剪切应力定向拟合公式对二维材料极限剪切应力进...
郑学军李敏彭金峰赵为张欢徐武
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基于碳基FET气体传感器的室温检测痕量氨气的方法
本发明提供一种基于碳基FET气体传感器的室温检测痕量氨气的方法，在检测时，对碳基FET传感器底部的控制栅极施加电压，通过施加并调整控制栅极的电压改变目标气体分子的极化方向和电荷转移，从而改变敏感栅极的功函数，增强传感器在...
张勇谭瑜鸣赵为
基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器
本发明提供一种基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的底栅介质层；位于底栅介质层背离栅极一侧表面的碳纳米管沟道层；位于碳纳米管沟道层背离底栅介质层一侧表面的顶栅介质层；位于顶栅介质层...
刘逸为曹觉先张志勇赵为
碳基场效应晶体管传感器
本发明涉及场效应管领域，公开一种碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的第一介质层；位于所述第一介质层背离所述栅极一侧表面的碳纳米管层；位于所述碳纳米管层背离所述第一介质层一侧表面的第二介质层；位于...
曹觉先刘逸为张志勇赵为
准一维缺陷纳米结构中的热电输运及调制
本论文基于非平衡格林函数方法和线性响应理论,研究了存在长程关联无序的准一维纳米线和存在周期性缺陷的石墨纳米带的电子和自旋的输运性质。研究结果表明,基于电子-电子相互作用和自旋-轨道耦合,通过缺陷可以有效的调控准一维纳米结...
赵为
关键词：电子输运自旋输运电子-电子相互作用自旋-轨道耦合
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基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器
本实用新型提供一种基于负电容效应的碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的底栅介质层；位于底栅介质层背离栅极一侧表面的碳纳米管沟道层；位于碳纳米管沟道层背离底栅介质层一侧表面的顶栅介质层；位于顶栅介...
刘逸为曹觉先张志勇赵为
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