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柳博

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：航天工业总公司七七一研究所更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电离辐照
  • 1篇氧化层
  • 1篇能级
  • 1篇能级分布
  • 1篇界面态
  • 1篇SIO
  • 1篇MOS

机构

  • 1篇航天工业总公...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇张玲珊
  • 1篇赵元富
  • 1篇王方
  • 1篇刘昶时
  • 1篇吾勤之
  • 1篇寒梅
  • 1篇柳博

传媒

  • 1篇核技术

年份

  • 1篇1989
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MOS电离辐照感生Si-SiO_2界面态及其密度的能级分布
1989年
本文主要讨论n(100)硅栅MOS样品在^(60)Coγ射线辐照下,氧化层电荷ΔD_(ot)、Si-SiO_2界面态密度ΔD_(tt)和界面态密度的能级分布。实验证明,辐照效应与偏置电场密切相关,在+1MV/cm偏置电场辐照时,出现氧化层电荷和界面态密度峰值,禁带中央态密度正比于被俘获空穴的密度,硅栅样品的界面态密度在禁带中服从U型分布,而铝栅n衬MOS样品辐照后出现具有确定能级(E_c—E_s=0.41—0.5eV)的界面态密度分布宽峰。
吾勤之刘昶时张玲珊寒梅王方柳博赵元富
关键词：氧化层界面态
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共1页<1>
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