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程滢

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：东华理工大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 2篇电子源
  • 2篇真空系统
  • 2篇高真空
  • 2篇高真空系统
  • 2篇光电
  • 2篇ALGAAS...
  • 2篇超高真空
  • 2篇超高真空系统
  • 1篇电特性
  • 1篇砷化镓
  • 1篇线阵列
  • 1篇纳米线阵列
  • 1篇光电发射
  • 1篇光电特性
  • 1篇光谱响应
  • 1篇光阴极
  • 1篇反应离子
  • 1篇负电子亲和势

机构

  • 3篇东华理工大学

作者

  • 3篇程滢
  • 2篇邹继军
  • 2篇冯林
  • 2篇彭新村
  • 2篇常本康
  • 2篇张益军
  • 2篇王炜路
  • 2篇邓文娟
  • 2篇万明

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源
一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙Al...
邹继军万明冯林邓文娟彭新村程滢江少涛王炜路张益军常本康
GaAs纳米线阵列光阴极制备机理及其光谱响应仿真
砷化镓（GaAs）纳米线阵列负电子亲和势光阴极因其较高的量子效率，较低的暗电流，良好的长波响应，禁带宽度较窄等特点，成为最有前景的光电发射材料之一，广泛应用在微光夜视，高能光电倍增管等领域，将有机会成为下一代电子加速器电...
程滢
关键词：光阴极光电特性光谱响应
一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源
一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的负电子亲和势电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带...
邹继军万明冯林邓文娟彭新村程滢江少涛王炜路张益军常本康
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