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杨继峰

作品数:6 被引量:0H指数:0
供职机构:北京工业大学更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇脉冲
  • 3篇激光
  • 3篇激光辐照
  • 3篇溅射
  • 3篇光辐照
  • 2篇镀膜
  • 2篇镀膜工艺
  • 2篇透射电子显微...
  • 2篇解析法
  • 2篇晶化
  • 2篇晶粒
  • 2篇晶粒生长
  • 2篇激光诱导
  • 2篇溅射功率
  • 2篇靶材
  • 2篇掺杂
  • 2篇衬底
  • 1篇单脉冲
  • 1篇第一性原理
  • 1篇电子结构

机构

  • 6篇北京工业大学

作者

  • 6篇杨继峰
  • 5篇刘富荣
  • 4篇朱赞

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种基于解析法制备定原子比的掺杂Ge2Sb2Te5相变薄膜的方法
本发明公开一种基于解析法制备定原子比的掺杂Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>相变薄膜的方法,根据掺杂原子比计算得到两靶的沉积厚度比,进而确定两靶的溅射功率,制备形如A<S...
杨继峰刘富荣朱赞
文献传递
一种基于透射电子显微镜观察激光诱导晶化纳米薄膜截面晶粒特征的样品制备方法
本发明是一种基于透射电子显微镜观察激光诱导晶化纳米薄膜截面晶粒特征的样品制备方法。该方法步骤:1.运用磁控溅射手段在用于透射电子显微镜观察的基底上镀一层薄膜;2.将两片薄膜镀膜面相对贴合并固定,并剪断一部分;3.将剪断的...
朱赞刘富荣杨继峰
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一种使用不同波长的超短脉冲皮秒激光诱导相变材料薄膜晶化的方法
一种使用不同波长的超短脉冲皮秒激光诱导相变材料薄膜晶化的方法,属于膜晶化技术领域。采用的装置包括:控制中心与基础光源设备连接,基础光源设备发出的光经镜头辐照在薄膜上;包括以下步骤:(1)在选取的基底上使用磁控溅射的方法镀...
王泽朦刘富荣杨继峰
文献传递
一种基于透射电子显微镜观察激光诱导晶化纳米薄膜截面晶粒特征的样品制备方法
本发明是一种基于透射电子显微镜观察激光诱导晶化纳米薄膜截面晶粒特征的样品制备方法。该方法步骤:1.运用磁控溅射手段在用于透射电子显微镜观察的基底上镀一层薄膜;2.将两片薄膜镀膜面相对贴合并固定,并剪断一部分;3.将剪断的...
朱赞刘富荣杨继峰
锡掺杂锗锑碲相变存储材料的第一性原理模拟计算
随着信息技术和互联网技术的迅猛发展,数据存储空间越来越拥挤,人们对信息存储介质提出了更高的要求,因此研究和开发新型相变存储材料成为非常重要的研究方向。相变存储材料Ge2Sb2Te5(GST)因为具有相变超快性、可逆循环次...
杨继峰
关键词:电子结构性能表征第一性原理
一种基于解析法制备定原子比的掺杂Ge2Sb2Te5相变薄膜的方法
本发明公开一种基于解析法制备定原子比的掺杂Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>相变薄膜的方法,根据掺杂原子比计算得到两靶的沉积厚度比,进而确定两靶的溅射功率,制备形如A<S...
杨继峰刘富荣朱赞
文献传递
共1页<1>
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