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江钧

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 17篇铁电
  • 14篇存储器
  • 11篇电极
  • 10篇铁电存储器
  • 8篇电畴
  • 7篇畴壁
  • 5篇读写
  • 4篇导电特性
  • 4篇电特性
  • 4篇铁电材料
  • 4篇全铁
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇单晶材料
  • 2篇读操作
  • 2篇读出
  • 2篇掩膜
  • 2篇有效厚度
  • 2篇质子交换
  • 2篇湿法腐蚀

机构

  • 22篇复旦大学

作者

  • 22篇江安全
  • 22篇江钧
  • 4篇陈一凡
  • 2篇孙杰
  • 2篇张岩
  • 2篇张焱
  • 2篇张伟
  • 2篇白子龙
  • 2篇耿文平
  • 1篇陈良尧
  • 1篇王子仪
  • 1篇张荣君

传媒

  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 5篇2022
  • 8篇2021
  • 3篇2019
  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法
本发明涉及一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法，所述场效应晶体管包括基底、源电极、漏电极、栅电极、铁电凸块和衬底，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述栅电极设置于铁...
江安全柴晓杰胡校兵江钧连建伟蒋旭
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一种铁电三位存储器、制备方法及其操作方法
本发明涉及一种铁电三位存储器、制备方法及其操作方法，所述铁电三位存储器包括铁电薄膜层、铁电存储单元和读写电极层，所述铁电存储单元设置于铁电薄膜层上方，所述读写电极层被间隙分割成两部分，形成第一电极和第二电极，所述第一电极...
江安全汪超柴晓杰江钧
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一种密排结构的面内读写铁电存储器阵列及其制备方法
本发明属于存储技术领域，具体为一种密排结构的面内读写铁电存储器阵列及其制备方法。本发明的面内读写铁电存储器阵列，其中字线集成于铁电存储单元层面内，位线包括第一位线和第二位线层，布局于铁电存储单元层面外，各位线层具有沿第一...
江安全汪超江钧柴晓杰张伟
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具有超高介电常数和/或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件的制备方法及器件
本发明公开了一种具有超高介电常数和/或铁电剩余极化强度的介质薄膜和器件的制备方法及器件。该方法包含：步骤a，在衬底上或附有第二电极的衬底上形成介质薄膜；该介质薄膜包含Hf<Sub>1‑x</Sub>Zr<Sub>x</S...
江安全张文笛江钧
一种密排结构的面内读写铁电存储器阵列及其制备方法
本发明属于存储技术领域，具体为一种密排结构的面内读写铁电存储器阵列及其制备方法。本发明的面内读写铁电存储器阵列，其中字线集成于铁电存储单元层面内，位线包括第一位线和第二位线层，布局于铁电存储单元层面外，各位线层具有沿第一...
江安全汪超江钧柴晓杰张伟
一种剥离铁电单晶薄膜的方法
本发明涉及一种剥离铁电单晶薄膜的方法，包括以下步骤：使用质子交换法在铁电单晶材料表面形成厚度可控的贫Li离子的第二相单晶层；采用离子注入法剥离出铁电单晶材料表面发生质子交换的所述第二相单晶层，获得薄膜层；使用反质子交换法...
江安全陈一凡张岩江钧柴晓杰
一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法
本发明属于存储材料制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法。本发明方法包括：硬掩膜制作、倾斜刻蚀、金属黑化修正侧壁以及湿法腐蚀清洗。与传统的直接利用干法刻蚀铌酸锂图形不同，本方法将干法刻蚀与湿法刻蚀...
江安全陈一凡庄晓江钧汪超
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非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法
本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法。该铁电存储器包括铁电薄膜层和设置在铁电薄膜层上的读写电极层，读写电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙，铁电薄膜层的电畴的极化方...
江安全江钧白子龙
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一种集存算一体的全铁电场效应晶体管
本发明涉及一种集存算一体的全铁电场效应晶体管，包括基底、源电极、漏电极、栅电极和铁电凸块，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成。与现...
江安全柴晓杰汪超江钧张焱
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一种非易失性铁电存储器及其制备方法
本发明涉及一种非易失性铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器包括铁电存储层、第一电极和第二电极，所述铁电存储层中的电畴的极化方向基本不平行所述铁电存储层的法线方向；所述第一电极和第二电极结构相同，均包括在所述铁电存储层的...
江安全柴晓杰江钧连建伟敖孟寒
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