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文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇单晶
  • 6篇SUB
  • 4篇单晶薄膜
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 4篇钙钛矿
  • 4篇钙钛矿型
  • 2篇单晶制备
  • 2篇氧化物
  • 2篇原子尺度
  • 2篇退火
  • 2篇终结
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇钙钛矿型结构
  • 2篇高温
  • 2篇高温炉
  • 1篇单质
  • 1篇束流
  • 1篇稳定控制
  • 1篇化学元素

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇沈大伟
  • 8篇杨海峰
  • 6篇李明颖
  • 6篇樊聪聪
  • 6篇姚岐
  • 1篇樊聪

传媒

  • 1篇第十届全国分...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2015
  • 2篇2013
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种钙钛矿型Sr<sub>2</sub>IrO<sub>4</sub>单晶薄膜材料的制备方法
本发明提供一种钙钛矿型Sr<Sub>2</Sub>IrO<Sub>4</Sub>单晶薄膜材料的制备方法,所述制备方法至少包括:首先提供一SrTiO<Sub>3</Sub>衬底;然后对所述SrTiO<Sub>3</Sub>...
李明颖沈大伟杨海峰刘正太刘吉山姚岐樊聪聪
文献传递
一种钙钛矿型Sr<Sub>2</Sub>IrO<Sub>4</Sub>单晶薄膜材料的制备方法
本发明提供一种钙钛矿型Sr<Sub>2</Sub>IrO<Sub>4</Sub>单晶薄膜材料的制备方法,所述制备方法至少包括:首先提供一SrTiO<Sub>3</Sub>衬底;然后对所述SrTiO<Sub>3</Sub>...
李明颖沈大伟杨海峰刘正太刘吉山姚岐樊聪聪
文献传递
一种NdGaO<Sub>3</Sub>单晶衬底的处理方法
本发明提供一种NdGaO<Sub>3</Sub>单晶衬底的处理方法,所述处理方法包括步骤:首先,提供一待处理的NdGaO<Sub>3</Sub>单晶衬底,所述待处理的NdGaO<Sub>3</Sub>单晶衬底表面是由Nd...
杨海峰沈大伟李明颖刘正太姚岐樊聪聪刘吉山
文献传递
氧化物LaNiO3薄膜的分子束外延生长和电子结构表征
杨海峰刘正太沈大伟
一种钙钛矿型SrIrO<Sub>3</Sub>单晶薄膜材料的制备方法
本发明提供一种钙钛矿型SrIrO<Sub>3</Sub>单晶薄膜材料的制备方法,包括如下步骤:S1:提供一钙钛矿型衬底;S2:对所述衬底进行清洗处理;S3:对所述衬底进行退火处理;S4:在氧化物分子束外延系统中采用Ir单...
刘正太沈大伟李明颖杨海峰姚岐刘吉山樊聪聪
文献传递
一种NdGaO<Sub>3</Sub>单晶衬底的处理方法
本发明提供一种NdGaO<Sub>3</Sub>单晶衬底的处理方法,所述处理方法包括步骤:首先,提供一待处理的NdGaO<Sub>3</Sub>单晶衬底,所述待处理的NdGaO<Sub>3</Sub>单晶衬底表面是由Nd...
杨海峰沈大伟李明颖刘正太姚岐樊聪聪刘吉山
氧化物LaNiO3薄膜的分子束外延生长和电子结构表征
近年来随着分子束外延技术的迅猛发展,人们开始尝试在单原子层的尺度上设计和生长超晶格材料,以求得到具有更高Tc的新型超导材料,揭示超导的物理本质.经理论计算,LaNiO3 /LaA1O3超晶格薄膜材料,通过引入绝缘层LaA...
杨海峰刘正太樊聪沈大伟
一种钙钛矿型SrIrO<Sub>3</Sub>单晶薄膜材料的制备方法
本发明提供一种钙钛矿型SrIrO<Sub>3</Sub>单晶薄膜材料的制备方法,包括如下步骤:S1:提供一钙钛矿型衬底;S2:对所述衬底进行清洗处理;S3:对所述衬底进行退火处理;S4:在氧化物分子束外延系统中采用Ir单...
刘正太沈大伟李明颖杨海峰姚岐刘吉山樊聪聪
文献传递
共1页<1>
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