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晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法: 本公开提供了一种晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法，晶体边缘液封切割装置包括切割机槽、夹持件、驱动电机、升降件和切割件，切割机槽内设有冷却液；夹持件平行于切割机槽的底部，设于切割机槽侧壁，夹持件的高度小于冷却液的高度...; 刘京明刘刚卢伟杨俊沈桂英王凤华谢辉

3英寸InAs单晶生长及衬底制备: 通过改进热场和单晶生长技术，利用液封直拉法(LEC)生长了直径3英寸<100>晶向的InAs单晶。对晶体进行了霍尔测试(Hall)、X射线双晶衍射晶体的完整性分析以及晶体的位错密度(EPD)测量分析。; 杨俊段满龙董志远刘刚杨凤云赵有文; 关键词：单晶生长; 文献传递

低位错密度4 inchGaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备被引量：2: 2017年; 采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm^(-2) ,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好。晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性。经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片。通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底。; 杨俊段满龙卢伟刘刚高永亮董志远王俊杨凤云王凤华刘京明谢辉王应利卢超赵有文; 关键词：单晶衬底

晶锭切割加工方法和晶体切割料的循环利用方法: 本公开提供了一种晶锭切割加工方法和晶体切割料的循环利用方法，晶锭切割加工方法包括：对待加工的晶锭进行定向处理，确定晶锭加工的晶向；根据晶锭加工的晶向，对晶锭进行定向切割，得到预定晶向的晶锭；对预定晶向的晶锭的边缘进行旋转...; 刘京明刘刚卢伟杨俊沈桂英王凤华谢辉

化学配比对InP和InAs单晶完整性及衬底表面制备的影响: 通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。InP单晶的直径为2-4英寸、InAs单晶直径为2-...; 赵有文孙文荣段满龙董志远胡炜杰杨俊张金利王应利刘刚; 关键词：单晶材料抛光表面磷化铟; 文献传递

4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究被引量：3: 2017年; 采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm^(-2)。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀。与液封直拉法(LEC)相比,VGF-InP单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显著增加。然而大量晶体生长结果表明VGF-InP晶锭上出现孪晶后,通常晶体的生长方向仍为(100)方向,这确保从生长的4 inch VGF-InP(100)晶锭上仍能获得相当数量的2~4 inch(100)晶片。由于铁在InP中的分凝系数很小,掺Fe-InP单晶VGF生长过程中容易出现组份过冷,导致多晶生长。通过控制生长温度梯度及掺铁量,可获得较高的掺铁InP单晶成晶率。对VGF-InP单晶的电学性质、位错密度及位错的分布特点、晶体完整性等进行了研究。; 赵有文段满龙卢伟杨俊董志远刘刚高永亮杨凤云王风华王俊刘京明谢辉王应利卢超; 关键词：孪晶

高质量化合物InP、GaSb和InAs开盒即用单晶衬底制备: 通过对液封直拉法热场和生长条件的优化控制,降低晶体生长过程所受的热应力,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,获得了高质量的2英寸和3英寸直径InP、GaSb和InAs单晶。用X-射线衍射摇摆曲线分析了晶...; 赵有文杨凤云段满龙孙文荣董志远杨俊胡炜杰刘刚王俊王应利; 关键词：GASB单晶 INP单晶

4英寸GaSb和InAs单晶生长及红外探测用衬底制备: 随着新型光电器件、红外探测器等制备技术的不断进步,对单晶衬底的尺寸和质量提出了更高的要求。本文介绍了采用液封直拉法(LEC)生长 4 英寸(100)晶向的 GaSb和InAs 单晶以及衬底晶片制备技术的最新进展。通过优化...; 杨俊段满龙王凤华董志远刘京明谢辉卢伟刘刚王俊高永亮赵有文; 关键词：GASB INAS 单晶衬底

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刘刚