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武执政

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:同济大学更多>>
发文基金:上海市教育委员会创新基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇特异材料
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇复合结构
  • 1篇半导体
  • 1篇TAMM态

机构

  • 1篇同济大学

作者

  • 1篇江海涛
  • 1篇李云辉
  • 1篇余坤
  • 1篇郭志伟
  • 1篇武执政

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
类特异材料半导体复合结构中的电子Tamm态被引量:2
2015年
通过选取具有特殊能带结构的半导体材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe),类比电磁体系得到了电子体系中的类单负材料、类双负材料等类特异材料,然后将其组合成一维复合异质结构.通过数值计算,发现复合结构中存在新型电子Tamm态,包括返向电子Tamm态和含类近零折射率材料复合结构中的电子Tamm态.这些结果拓展了人们对电子Tamm态的认识.
武执政余坤郭志伟李云辉江海涛
关键词:碲镉汞
共1页<1>
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