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万达

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇单壁
  • 2篇单壁碳纳米管
  • 2篇石英管
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇自然降温
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 2篇二茂
  • 2篇二茂铁
  • 2篇催化
  • 2篇催化剂
  • 1篇态密度
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积
  • 1篇气相沉积法
  • 1篇界面态
  • 1篇界面态密度
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶体管性能
  • 1篇化学气相

机构

  • 3篇武汉大学

作者

  • 3篇万达
  • 2篇潘春旭
  • 2篇罗成志
  • 2篇廖蕾

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法
本发明公开了一种半导体性单壁碳纳米管（SWNTs）的制备方法。将催化剂二茂铁置于CVD炉石英管内上游区，基底置于石英管内下游区，然后封闭石英管，通入氮气或惰性气体排尽石英管内的空气；将石英管加热至400‑1500℃，开启...
潘春旭罗成志廖蕾万达
文献传递
非晶氧化锌基薄膜晶体管性能的掺杂调控与作用机理研究
近些年,以薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFTs)液晶显示器为代表的新一代平板显示器已经成为信息产业的重要发展方向之一。然而,随着大面积平板显示器对于高分辨率和高帧频的要求日益增加,对作为驱动原...
万达
关键词：掺杂界面态密度
文献传递
一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法
本发明公开了一种半导体性单壁碳纳米管（SWNTs）的制备方法。将催化剂二茂铁置于CVD炉石英管内上游区，基底置于石英管内下游区，然后封闭石英管，通入氮气或惰性气体排尽石英管内的空气；将石英管加热至400-1500℃，开启...
潘春旭罗成志廖蕾万达
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