薛正群
- 作品数:36 被引量:17H指数:3
- 供职机构:中国科学院福建物质结构研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信理学机械工程更多>>
- 一种波长可调谐的半导体激光器
- 本发明涉及一种波长可调谐的半导体激光器,包括:有源层、波导层和分离限制层;其中,波导层位于有源层和分离限制层之间;波导层包括脊波导和微腔,微腔位于脊波导的一侧。本发明提供的波长可调谐的半导体激光器,利用电调制脊波导的饱和...
- 林中晞林琦徐玉兰陈景源钟杏丽朱振国薛正群苏辉
- 一种DFB半导体激光器制备方法及激光器
- 本发明涉及一种DFB半导体激光器的制备方法,包括以下步骤:步骤S11、制备基片:在衬底层上形成量子阱结构和外延结构,制成基片;步骤S12、制备脊型波导结构:在步骤S11制备的基片表面靠近出光端面的区域腐蚀形成脊型波导结构...
- 薛正群苏辉王凌华陈阳华林琦林中晞
- 文献传递
- 反射式倒装对1300 nm激光器性能改善的分析被引量:2
- 2018年
- 对AlGaInAs多量子阱1300nmFP激光器进行反射式倒装封装,在热沉上靠近激光器出光端面约10~20μm的区域采用Au反射层,对器件垂直方向出光进行反射。测试结果显示,与常规封装相比,采用这种结构封装芯片垂直发散角从34.5°降低至17°,器件单模光纤的平均耦合功率从1850μW提高至2326μW,耦合效率从21.1%提高到26.5%。对两种激光器进行光电参数的测量,结果表明:与常规封装器件相比,采用反射式倒装结构器件的饱和电流从135mA提高至155mA,饱和输出功率从37mW提高至42mW,热阻从194K/W降低至131K/W。最后对两种器件在95℃环境温度、100mA电流下进行加速老化实验,老化结果显示:在老化条件下,器件衰退系数从常规封装的4.22×10^(-5)降低至1.06×10^(-5),寿命从5283h提高至21027h。
- 薛正群王凌华王凌华
- 关键词:倒装发散角
- 一种含侧边吸收区的超辐射发光管
- 本实用新型涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管,包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区,在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区,侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本实用新型利用侧边吸收区所...
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- 文献传递
- 一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法
- 本发明涉及一种量子点超辐射发光二极管的制作方法,该方法包括以下步骤:一次外延生长步骤:采用MBE生长一次外延结构,其结构沿晶向依次包括N<Sup>+</Sup>‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlG...
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- 文献传递
- InP基长波长超辐射发光二极管的设计和制备
- 2021年
- 文章通过设计和优化外延和芯片结构实现InP高功率掩埋结构超辐射发光二极管芯片,测试结果显示:500 mA下芯片室温出光功率达到80 mW,增益谱宽超过40 nm,覆盖范围超过1 600 nm,芯片水平和垂直发散角分别为16°和18°,芯片可用于宽带及窄线宽光源。
- 薛正群
- 关键词:INP长波长超辐射发光二极管高功率
- 一种太赫兹天线结构及包括该天线结构的辐射源和探测器
- 本发明属于太赫兹技术领域,具体涉及一种太赫兹天线结构及包括该天线结构的辐射源和探测器。本发明通过将常规太赫兹天线结构的半导体衬底厚度从几百微米减小到几微米,以及把高介电常数的硅透镜替换成低介电常数的透镜,提高了金属天线的...
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- 一种DFB半导体激光器
- 本实用新型涉及一种DFB半导体激光器,包括:脊型波导激光器、光栅和探测器,其中,脊型波导激光器位于基片表面靠近出光端面的区域,光栅和探测器位于脊型波导激光器的腔外,光栅刻蚀到衬底层并靠近脊型波导激光器,探测器位于基片表面...
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- 文献传递
- 一种DFB半导体激光器制备方法及激光器
- 本发明涉及一种DFB半导体激光器的制备方法,包括以下步骤:步骤S11、制备基片:在衬底层上形成量子阱结构和外延结构,制成基片;步骤S12、制备脊型波导结构:在步骤S11制备的基片表面靠近出光端面的区域腐蚀形成脊型波导结构...
- 薛正群苏辉王凌华陈阳华林琦林中晞
- 一种DFB半导体激光器制备方法及制得的激光器
- 本发明涉及一种DFB半导体激光器制备方法,包括以下步骤:步骤S11、制备外延片:外延片采用波导和有源区结构;步骤S12、制备基片:在外延片表面的光栅层上制备均匀的部分光栅,并对光栅进行掩埋生长;步骤S13、制备脊型波导:...
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