您的位置： 专家智库 > >

夏云

作品数：75 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 72篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 32篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 18篇导通
  • 18篇漂移区
  • 17篇晶闸管
  • 16篇关断
  • 14篇双极型
  • 12篇脉冲
  • 12篇极区
  • 11篇损耗
  • 10篇导通压降
  • 10篇关断损耗
  • 10篇反向恢复
  • 9篇电流
  • 9篇阴极
  • 9篇载流子
  • 9篇光控
  • 9篇光控晶闸管
  • 9篇MOSFET
  • 8篇双极型晶体管
  • 8篇肖特基
  • 7篇源区

机构

  • 75篇电子科技大学

作者

  • 75篇夏云
  • 73篇陈万军
  • 58篇刘超
  • 30篇孙瑞泽
  • 29篇张波
  • 7篇吴毅
  • 3篇魏东
  • 2篇刘杰
  • 2篇刘承芳
  • 2篇刘亚伟
  • 1篇邓小川
  • 1篇李肇基

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2024
  • 11篇2023
  • 10篇2022
  • 15篇2021
  • 12篇2020
  • 8篇2019
  • 15篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2015
共 75 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种增强反向恢复特性的超结功率器件终端结构
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种增强反向恢复特性的超结功率器件终端结构，该结构包括：漏极结构、耐压层、源极结构以及绝缘介质层；漏极结构包括漏极金属和n+漏区；漏极金属上沉积有n+漏区；耐压层包括n型漂移区、p型...
刘超夏云陈万军张波
一种超结IGBT终端结构
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有反向导通能力以及高关断速度的超结IGBT终端结构。本发明的超结功率器件终端结构引入的p+短路区、n+短路区、浮空金属以及p型电阻区的结构在器件关断时能起到加速电子抽取的作用，...
陈万军万贻虎夏云孙瑞泽刘超张波
文献传递
一种低输入电容GaN基HEMT器件
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种低输入电容GaN基HEMT器件。本发明的主要方案是采用了分裂源场板结构。分裂源场板的设计可以大幅度地减小器件源极与栅极之间的相对面积，这可以使器件的输入电容得到了显著地降低。在器...
陈万军王方洲许晓锐孙瑞泽信亚杰夏云刘超张波
文献传递
一种超结逆导型栅控双极型器件
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种超结逆导型栅控双极型器件。与传统超结IGBT相比，本发明器件采用介质隔离层将器件沿超结的纵向分界线分为两部分，第一漂移区一侧正向导通时不参与导电，反向导通时作为二极管起续流作用。第二...
郑崇芝李青岭夏云陈万军
文献传递
一种沟槽栅MOS控制晶闸管及其制作方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，一种沟槽栅MOS控制晶闸管(Trench‑MCT)，其元胞结构包括自下而上依次层叠的阳极(1)、P+阳极区(2)、N型缓冲层(3)和漂移区(4)；所述漂移区(4)上层两侧有沟槽栅和P基区...
陈万军左慧玲刘超夏云邓操高吴昊
文献传递
一种具有PN叠型耐压层结构的可关断晶闸管
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有低关断损耗以及高可关断电流的可关断晶闸管(GTO)，Gate turn‑off Thyristor,简称GTO。相对于传统的可关断晶闸管，本发明在器件的采用PN叠型耐压层结构...
陈万军周彭炜夏云刘超孙瑞泽郑崇芝张波
一种具有超结的逆导型IGBT
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有超结的逆导型IGBT。相对于传统的超结逆导型IGBT，本发明将集电极区中的一部分的P+集电极区用N+集电区替换，并且用P型条以及介质隔离层将N型漂移区分为两个不相连的N型漂移区区...
郑崇芝夏云谯彬李青岭孙瑞泽刘超施宜军信亚杰王方洲陈万军
文献传递
高di/dt光控晶闸管版图设计方法
本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种高di/dt光控晶闸管版图设计方法。本发明主要包括：将阴极金属电极和光栅窗口按并行交替排列的方式设置于版图中心，该交替排列区域的左右两侧均为光栅窗口；采用边缘阴极电极将阴极金属...
陈万军邓操高吴昊夏云左慧玲
文献传递
一种逆导FS‑IGBT的制备方法
本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导FS‑IGBT的制备方法。本发明的方法包括：在一块N型半导体硅片上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层(FS层)；所形成的FS层上通过光刻刻蚀，间隔注入N型杂质与P型杂质...
陈万军刘亚伟夏云刘承芳陶宏刘杰张波
文献传递
一种具有部分P型漂移区的IGBT
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有部分P型漂移区的IGBT。本发明将IGBT的耐压层设置为由N型漂移区(4)和P型漂移区(5)通过上下堆叠的形式，形成具有部分P型的漂移区，从而使器件内部形成了一个肖克来(Sh...
郑崇芝夏云程峥孙瑞泽刘超陈万军张波
全选 清除 导出
共8页<12345678>
聚类工具0