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白春江

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：西安空间无线电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 6篇无源互调
  • 6篇互调
  • 6篇二次电子
  • 5篇微波部件
  • 4篇电子发射
  • 4篇滤波器
  • 4篇二次电子发射
  • 2篇电磁
  • 2篇电磁场
  • 2篇电磁场分析
  • 2篇电流电压特性
  • 2篇电平
  • 2篇电性能
  • 2篇电压
  • 2篇电压降
  • 2篇电压特性
  • 2篇电阻
  • 2篇镀层
  • 2篇压强
  • 2篇银表面

机构

  • 16篇西安空间无线...

作者

  • 16篇白春江
  • 12篇崔万照
  • 9篇杨晶
  • 7篇何鋆
  • 6篇王瑞
  • 6篇王新波
  • 4篇张娜
  • 4篇李军
  • 4篇胡天存
  • 4篇李韵
  • 2篇张剑锋
  • 2篇叶鸣
  • 2篇白鹤
  • 2篇赵小龙
  • 1篇辜文婷
  • 1篇冯西贤
  • 1篇黄微波
  • 1篇王颖

年份

  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于时域有限差分的微波部件无源互调数值分析方法
一种基于时域有限差分的微波部件无源互调数值分析方法，提出引入微波部件金属接触处的微观形貌和接触状态的金属接触非线性模型的方法，实现了考虑金属接触非线性的微波部件的电磁场分析，再采用时域有限差分法计算了不考虑金属接触非线性...
王瑞崔万照白春江王新波李军张娜张剑锋
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一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器
本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，...
王琪白春江崔万照李韵封国宝何鋆杨晶苗光辉
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一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法
一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法，首先将腔体滤波器接触部位进行等分，在两个载波频率处进行两次频域电磁场仿真，分别获得接触部位的表面电流。然后结合接触电阻确定接触部位每部分的电压降，根据接触部位非线性电流电压特性确...
王新波白鹤崔万照王瑞李军白春江谢贵柏杨晶
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一种确定不同压强下接触界面收缩电阻的方法
一种确定不同压强下接触界面收缩电阻的方法，它包括通过测量仪器对接触界面进行局部统计观察，获得表征实际表面形貌的微凸体的信息，包括微凸体高度数量分布形式、微凸体高度标准差、微凸体面密度、微凸体曲率半径，使用这些信息最终得到...
白春江崔万照王瑞叶鸣赵小龙
一种低二次电子发射系数的膜层及其制备方法
本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积...
何鋆白春江苗光辉胡天存张恒黄浩陈国宇
一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法
本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。...
何鋆王琪封国宝杨晶苗光辉白春江崔万照
一种确定不同压强下接触界面收缩电阻的方法
一种确定不同压强下接触界面收缩电阻的方法，它包括通过测量仪器对接触界面进行局部统计观察，获得表征实际表面形貌的微凸体的信息，包括微凸体高度数量分布形式、微凸体高度标准差、微凸体面密度、微凸体曲率半径，使用这些信息最终得到...
白春江崔万照王瑞叶鸣赵小龙
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一种低二次电子发射系数的膜层及其制备方法
本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积...
何鋆白春江苗光辉胡天存张恒黄浩陈国宇
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一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法
本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。...
何鋆王琪封国宝杨晶苗光辉白春江崔万照
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一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法
一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法，本发明采用结合两种不同方法，涂覆低二次电子发射系数的材料和表面制备陷阱结构：在表面涂覆低二次电子发射系数的石墨烯，然后通过氩离子刻蚀的技术制备纳米孔。技术上通过控制表面涂覆...
谢贵柏崔万照杨晶李韵胡天存白春江王新波张娜
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