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钟涛

作品数:9 被引量:0H指数:0
供职机构:四川大学更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇激光
  • 3篇脉冲
  • 2篇激光器
  • 2篇半导体
  • 2篇
  • 2篇
  • 2篇
  • 2篇HG
  • 2篇掺锑
  • 1篇电池
  • 1篇电磁超声
  • 1篇电磁超声换能...
  • 1篇电子束
  • 1篇声导波
  • 1篇声换能器
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇相图
  • 1篇相图分析
  • 1篇硫化

机构

  • 8篇四川大学
  • 2篇中山大学

作者

  • 9篇钟涛
  • 4篇范安辅
  • 2篇甘芳吉
  • 2篇魏爱香
  • 1篇陈第虎
  • 1篇杨随先
  • 1篇林理彬
  • 1篇陈弟虎

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇应用声学
  • 1篇中国激光
  • 1篇中山大学学报...
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇郑州大学学报...
  • 1篇第七届全国相...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1988
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
Hg-Cd-Te-S四元固态平衡相图分析
马宗复张庆生钟涛
关键词:化合物半导体相图
用10.6μm红外激光辐照在硅中掺入铝和锑制备大面积p-n结的研究
1992年
用脉冲高能红外激光(波长10.6μm),在N型和P型单晶硅中分别掺入铝和锑,制备了最大面积可达φ20mm的p-n结.激光掺杂存在一个阈值能量密度.掺杂浓度和深度的分布与预热温度和杂质镀层厚度有关.并对p-n结的伏安特性,扩散层薄层电阻和光生电压进行了测试.
钟涛林理彬范安辅
关键词:P-N结
电子束控制放电CO_2激光器用于半导体诱导掺杂的研究
1992年
电子束控制放电CO_2激光器的脉冲能量是~50J,光斑直径为~φ60mm,聚焦后光斑直径为~φ20mm,用该激光器在硅中诱导掺入杂质锑和铝,得到了浅突变p-n结。结的大小为直径φ10~15mm,最大为φ20mm,结深为0.2~0.7μm,并具有~500mV的光生电压。
范安辅钟涛林理彬
关键词:电子束CO2激光器半导体
一种磁场优化结构电磁超声传感器设计
2024年
为了进一步增强电磁超声检测技术在管道厚度测量领域的检测能力,该文对电磁超声传感器(EMAT)的结构进行了优化。提出了多磁铁对称分布型EMAT,能实现更小的磁铁体积,产生更强的表面剩磁强度。采用在硅钢表面开槽的方式限制涡流形成的区域,解决了涡流对测量的影响。建立厚度测量实验系统,对比出单磁铁型与多磁铁对称分布型EMAT在不同提离距离上检测信号的变化规律。结果表明,多磁铁对称分布型结构可通过增强EMAT的偏置磁场达到信噪比更优的效果。采用耐高温探头外壳和钐钴磁铁,提高了EMAT探头在高温环境下的检测性能。
苟浩瑞杜昱錡王思宇钟涛甘芳吉
关键词:电磁超声换能器厚度测量高温
CO_2脉冲激光掺杂太阳能电池的研究
1996年
采用CO2脉冲激光掺杂,在P型和N型硅中掺入锑和铝,形成浅突变PN结太阳能电池,通过卢瑟福背散射,给出了PN结结深和杂质浓度分布,研究了预热温度、激光辐照能量密度、激光脉冲个数对方块电阻和太阳能电池开路电压的影响。
陈弟虎魏爱香范安辅钟涛
关键词:掺杂激光太阳能电池二氧化碳激光器
Hg_(1-x)Cd_xTe表面的(NH_4)_2S处理
钟涛
关键词:硫化反应
利用脉冲CO<,2>激光在硅中掺锑、铝的研究
钟涛
基于超声导波的高温管道壁厚监测技术优化
2024年
超声导波技术因可将超声换能器与高温环境隔离而常被用于高温管道的壁厚监测系统,但高温下常规耦合技术失效问题和信号信噪比低的问题影响了测量系统的可靠性和测量精度。设计用于传导超声信号的导波杆,基于声学匹配原理优化干耦合技术,解决高温环境下常规耦合技术的失效问题。提出自适应激励方式和测量数据的乘幂算法以提高高温下测量系统的自适应性和信号信噪比。采用智能分段声速方法对声速进行修正,使高温超声导波测厚系统的测量精度达到±0.03 mm。实验结果表明:在500℃的长期热源环境下,超声波换能器端的温度最高不超过56℃,验证了测量系统在高温环境下的可靠性。
周俊岑甘芳吉王思宇钟涛杨随先
大功率CO_2脉冲激光辐照掺锑、铝的研究
1996年
采用电子束放电控制的CO2脉冲激光辐照单晶硅片掺入杂质锑、铝获得成功,并制成大面积PN结(Φ20mm),发现了一种适合大功率CO2脉冲激光器应用于半导体掺杂新方法。通过卢瑟福背散射、阳极氧化等方法的研究,证明CO2脉冲激光辐照在硅中掺杂形成的PN结是浅突变结,结深约为0.2~0.7μm。对硅片预热温度、激光重复脉冲次数等工艺条件进行了研究,并从理论上进行了掺杂机理的分析。
陈第虎魏爱香范安辅钟涛
关键词:脉冲激光辐照PN结激光诱导
共1页<1>
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