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胡晓明

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇低能电子
  • 2篇低能电子衍射
  • 2篇衍射
  • 2篇LEED
  • 1篇电子衍射
  • 1篇元胞
  • 1篇氢离子
  • 1篇相变
  • 1篇离子
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇硅表面
  • 1篇轰击
  • 1篇SI
  • 1篇SPA-LE...
  • 1篇硅
  • 1篇程序库
  • 1篇12
  • 1篇VAN

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇加利福尼亚大...

作者

  • 3篇胡晓明
  • 2篇林彰达
  • 1篇邢益荣

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇物理

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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最新的Van Hove LEED程序库
1996年
用低能电子衍射（ＬＥＥＤ）强度－电子能量曲线（Ｉ－Ｖ ｃｕｒｖｅ）确定晶体表面结构是目前国际上广泛采用的一种方法．由于理论计算的复杂性，充分利用世界上现有的计算程序已显得十分必要，本文对 Ｖａｎ Ｈｏｖｅ的 ＬＥＥＤ程序库及其应范围和特点作一简单的介绍．
胡晓明林彰达M.A.VanHove
关键词：低能电子衍射程序库晶体结构
Si(5,5,12)——一个大元胞的稳定表面
1998年
利用常规的ＬＥＥＤ和高分辨率的ＳＰＡ－ＬＥＥＤ技术研究了标称（３３７）的Ｓｉ表面原子结构．经过反复的离子轰击（７００ｅＶＡｒ＋）和１３００Ｋ退火之后的这种表面形成稳定的（５，５，１２）晶面，即结构周期为（３３７）＋（２２５）＋（３３７）的有序的原子排列．这一事实说明：Ｓｉ（５，５，１２）是比Ｓｉ（３３７）更为稳定的晶面．ＬＥＥＤ和ＳＰＡ－ＬＥＥＤ图像证实，稳定的Ｓｉ（５，５，１２）表面为（２×１）原子再构，即沿［１１０］方向的周期是体内结构周期的两倍，而沿［６６５］方向的周期与体内结构周期相同．Ｓｉ（５，５，１２）－２×１表面的元胞面积为０．７６８×５．３４８ｎｍ２，这是至今所观察到的最大表面元胞之一．结合其它的实验结果，提出了一个Ｓｉ（５，５。
邢益荣W.朗克胡晓明
关键词：硅LEEDSPA-LEED
用低能电子衍射研究氢离子轰击硅表面所产生的相变被引量：1
1996年
文章描述了用低能电子衍射（ＬＥＥＤ）观察氢离子对碳杂质稳定的Ｓｉ（１１１）－（１×１）及清洁再构的Ｓｉ（１００）－（２×１）表面轰击，然后加热退火所产生的相变．实验发现：碳杂质稳定的Ｓｉ（１１１）－（１×１）表面经氢离子轰击并在８００℃退火后产生清洁再构的Ｓｉ（１１１）－（７×７）结构；而Ｓｉ（１００）－（２×１）表面经离子氢及氩的混合气体轰击后，在９００℃退火产生一个亚稳态Ｓｉ（１００）－ｃ（４×４）结构，进一步在７００℃退火后，我们得到一个稳定的Ｓｉ（１００）－ｐ（２×２）结构．文章对实验观察到的相变做了简单的解释，提出了一个新的Ｓｉ（１００）－ｐ（２×２）表面结构模型．
胡晓明林彰达
关键词：硅表面相变电子衍射氢离子
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