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李成州

作品数：16 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 9篇氧化层
  • 7篇金属阴极
  • 6篇多晶
  • 6篇多晶硅
  • 6篇栅氧化
  • 6篇栅氧化层
  • 6篇曲率
  • 6篇接触区
  • 6篇结终端
  • 6篇功率器件
  • 5篇扩散
  • 5篇恒流
  • 5篇垂直型
  • 4篇金属阳极
  • 4篇恒流二极管
  • 4篇二极管
  • 3篇阳极
  • 3篇芯片
  • 3篇基片
  • 3篇硅基

机构

  • 16篇电子科技大学

作者

  • 16篇李成州
  • 15篇乔明
  • 15篇张波
  • 15篇于亮亮
  • 6篇方冬
  • 6篇肖倩倩
  • 3篇李路
  • 3篇卢璐
  • 3篇何逸涛

年份

  • 4篇2019
  • 2篇2017
  • 10篇2016
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法
本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构；恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用N型掺杂衬底、第三P型重掺杂区、阳极，恒流器件...
乔明方冬于亮亮李成州李路张波
文献传递
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李成州于亮亮肖倩倩张波
三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法
本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括垂直型恒流二极管和瞬态电压抑制二极管两部分；垂直型恒流二极管部分包括金属阳极、P型衬底、第一轻掺杂N型外延层、第一P型区、第二重掺杂N型外延层、第一N型...
乔明李成州于亮亮方冬张波
文献传递
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李成州于亮亮肖倩倩张波
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李成州于亮亮肖倩倩张波
文献传递
三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法
本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构；恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用N型掺杂衬底、第三P型重掺杂区、阳极、N型掺杂...
乔明方冬于亮亮李成州李路张波
文献传递
三端自带防护功能的横向恒流器件及其制造方法
本发明提供一种三端自带防护功能的横向恒流器件及其制造方法，器件包括横向恒流二极管结构与瞬态电压抑制二极管结构，横向恒流二极管包括P型轻掺杂衬底、第一P型重掺杂区、第二金属阴极、扩散N型阱区、第二P型重掺杂区、第三P型轻掺...
乔明李成州卢璐于亮亮张波
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李成州于亮亮肖倩倩张波
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一种LED照明驱动系统
一种LED照明驱动系统，包括变压器和驱动芯片，变压器包括两个交流输入端和两个输出端；驱动芯片包括第一器件、第二器件、第三器件、第四器件，第一器件的阳极与第四器件的阴极连接形成第一节点，第一器件的阴极与第二器件的阴极相连接...
乔明于亮亮方冬李成州何逸涛张波
文献传递
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李成州于亮亮肖倩倩张波
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