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铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法: 本发明公开了一种铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法，其材料的化学式为(Gd1‑x‑y‑zKxCeyMz)<Su...; 冯鹤肖丰张志军徐展赵景泰; 文献传递

红绿变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料及其制备方法: 本发明提供了一种红绿变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料及其制备方法，能制备一种发光性能优良、红绿光波段内变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料。以基质为Y(OH)mF3‑m，通过晶格中...; 徐展赵景泰; 文献传递

Gd_2Si_2O_7-Ce_2Si_2O_7体系的相关系及其发光性能被引量：2: 2017年; 对焦硅酸钆-焦硅酸铈(Gd_2Si_2O_7-Ce_2Si_2O_7,GPS-CPS)体系的相关系和光学性能随组分的变化进行了研究,采用固相烧结法制备了系列(Gd_(1-x)Ce_x)_2Si_2O_7(x=0%~100%)多晶样品,通过X射线衍射谱确定样品的结构,通过真空紫外激发发射谱、X射线激发发射谱和荧光衰减谱对样品的光学性能表征。结果表明:纯GPS固相合成的反应路径为Gd_2O_3、SiO_2→GSAP(磷灰石相)→GPS(高温正交相)。随着Ce浓度的增加,GPS:Ce多晶样品呈现正交→三斜→单斜的变化特点:Ce掺杂量在8.00%~10.00%范围时,样品为两相区,正交、三斜相共存。同时,GPS:0.50%Ce样品发光效率最高。GPS:Ce样品的发光过程存在Gd^(3+)→Ce^(3+)的能量传递,导致Ce^(3+)发光中慢分量的出现,且随着Ce浓度的增加,传递效率逐渐降低。; 万欢欢冯鹤肖丰张志军徐展赵景泰; 关键词：相关系发光性能闪烁体

稀土掺杂倍半氧化物亚微米X射线成像用单晶薄膜闪烁屏及其制备方法: 本申请公开了稀土掺杂倍半氧化物亚微米X射线成像用单晶薄膜闪烁屏及其制备方法。所述单晶薄膜闪烁屏是在合适的单晶衬底上，生长稀土掺杂倍半氧化物单晶薄膜闪烁屏，其结构表述为：(Lu1‑x‑yMx...; 冯鹤常靖宇张志军徐展赵景泰; 文献传递

高光产额钨酸铅（PbWO4）闪烁晶体的生长方法: 本发明提供一种具有高光产额的钨酸铅闪烁晶体的生长方法。利用该方法制备的高光产额钨酸铅闪烁晶体，在X‑射线激发下，其光产额可达到下降法生长的钨酸铅晶体的20倍，其发光峰位为465‑495 nm，较下降法得到生长的钨酸铅晶体...; 张志军冯鹤徐展王红胡关钦赵景泰; 文献传递

红绿变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料及其制备方法: 本发明提供了一种红绿变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料及其制备方法，能制备一种发光性能优良、红绿光波段内变色可调的稀土氢氧氟化物发光材料。以基质为Y(OH)mF3‑m，通过晶格中...; 徐展赵景泰

可实现高通量组分筛选的模具及成型方法: 本申请公开了一种可实现高通量组分筛选的模具及成型方法，涉及材料筛选。模具包括装料模腔、多个横向隔片、底座和压头。装料模腔具有空腔，用于盛装原料及安装其他零件。多个横向隔片中每一横向隔片用于沿空腔的横向安装并与其可拆卸连接...; 冯鹤鱼海航张志军徐展赵景泰; 文献传递

高光产额钨酸铅（PbWO4）闪烁晶体的生长方法: 本发明提供一种具有高光产额的钨酸铅闪烁晶体的生长方法。利用该方法制备的高光产额钨酸铅闪烁晶体，在X-射线激发下，其光产额可达到下降法生长的钨酸铅晶体的20倍，其发光峰位为465？-？...; 张志军冯鹤徐展王红胡关钦赵景泰

Gd2Si2O7-Ce2Si2O7体系的固溶特性及光学性能研究: 对GdSiO-CeSiO(CPS)体系的固溶特性及光学性能进行了研究,首先通过固相烧结方法制备得到了不同比例的多晶样品(GdCe)SiO(x=0,0.05%,0.1%,0.2%,0.5%,1%,2%,5%,8%,1 0%...; 肖丰冯鹤赵景泰张志军徐展雷芳; 关键词：固溶体光学性质; 文献传递

可实现高通量组分筛选的模具及成型方法: 本申请公开了一种可实现高通量组分筛选的模具及成型方法，涉及材料筛选。模具包括装料模腔、多个横向隔片、底座和压头。装料模腔具有空腔，用于盛装原料及安装其他零件。多个横向隔片中每一横向隔片用于沿空腔的横向安装并与其可拆卸连接...; 冯鹤鱼海航张志军徐展赵景泰; 文献传递

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