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俞文杰

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：深圳大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇晶体管
  • 6篇硫化
  • 5篇硫化钼
  • 5篇SUB
  • 5篇场效应
  • 5篇场效应晶体管
  • 5篇衬底
  • 4篇纳米
  • 3篇氮化镓
  • 3篇电学性能
  • 3篇无机纳米
  • 3篇吸波
  • 3篇吸波材料
  • 3篇膜材料
  • 3篇介质
  • 3篇二硫化钼
  • 3篇复合吸波
  • 3篇复合吸波材料
  • 2篇氮化镓器件
  • 2篇电磁性能

机构

  • 19篇深圳大学

作者

  • 19篇刘新科
  • 19篇俞文杰
  • 17篇吕有明
  • 13篇韩舜
  • 13篇柳文军
  • 13篇朱德亮
  • 13篇曹培江
  • 13篇曾玉祥
  • 12篇贾芳
  • 11篇李奎龙
  • 8篇陈乐
  • 8篇何祝兵
  • 7篇刘强
  • 2篇陈凌霄
  • 1篇陈勇
  • 1篇贺威
  • 1篇黎晓华
  • 1篇王磊
  • 1篇林峰

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 7篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2015
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种石墨烯/四氧化三铁复合吸波材料及其制备方法
本发明适用于吸波材料领域，提供了一种石墨烯/四氧化三铁复合吸波材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：制备氧化石墨烯分散液、FeCl<Sub>2</Sub>溶液及FeCl<Sub>3</Sub>溶液；将上述三种液体混...
刘新科刘睿李奎龙何佳铸陈乐何祝兵俞文杰吕有明洪家伟
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一种Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>二维材料的制备方法
本发明公开了一种Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>/TiO<Sub>2</Sub>二维材料的制备方法；本发明制备了Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>MXene薄膜材料，经过加热氧化...
刘新科刘睿李奎龙顾虹吕有明俞文杰韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮
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以GaN为衬底制备二硫化钼薄膜的方法
本发明适用于无机纳米膜材料技术领域，提供了一种以GaN为衬底制备二硫化钼薄膜的方法，以GaN为衬底，使用CVD法在所述衬底表面生成MoS<Sub>2</Sub>薄膜；所述生成MoS<Sub>2</Sub>薄膜的过程为：以...
刘新科李奎龙何佳铸陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法
本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法。该方法采用ICP进行氧气等离子优化氮化镓导电通道，在沉积绝缘介电层之前先进行氧气等离子体处理，然后进行原位退火，在栅极区产生一种晶体GaON...
刘新科林峰利键陈勇王磊黎晓华贺威俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥朱德亮
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一种硫化钨薄膜及其制备方法
本发明属于无机纳米膜材料技术领域，提供了一种硫化钨薄膜的制备方法，包括以下步骤：在硅衬底上镀上一层厚度为一个原子的W层；在所述W层上镀上一层厚度为一个原子的S层；以及在所述S层上镀上另一层厚度为一个原子的W层，获得WS<...
刘新科何佳铸刘强吕有明俞文杰韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮
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一种环栅结构场效应晶体管及其制备方法
本发明适用于半导体器件，提供了一种环栅结构场效应晶体管，包括衬底、沉积在所述衬底上的二氧化硅层、分别沉积在所述二氧化硅层上的栅极、源极和漏极，所述栅极包括有源层、包围所述有源层的绝缘层及包围所述绝缘层的金属层，所述绝缘层...
何佳铸刘新科李奎龙陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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一种新型鳍式场效应晶体管
本实用新型适用于晶体管，提供了一种新型鳍式场效应晶体管，包括衬底以及鳍式结构，鳍式结构由下至上依次包括：覆盖于衬底上具备高介电常数的第一绝缘层，其中部向上延伸出一鳍状凸起；覆盖于第一绝缘层上的有源层，其具有用于包裹鳍状凸...
刘新科何佳铸刘强俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮
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一种氮化镓异质结场效应晶体管及其形成方法
本发明适用于电子元器件领域，提供了一种氮化镓异质结场效应晶体管的形成方法，包括：形成衬底；在所述衬底之上形成介质层；在所述介质层上形成栅极；以及在所述栅极的外侧包裹着应力衬垫薄膜。本发明还提供了一种氮化镓异质结场效应晶体...
刘新科何佳铸刘强俞文杰吕有明陈凌霄杨育佳
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基于Fe掺GaN衬底的二硫化钼光电探测器和制备方法
本发明公开了一种基于Fe掺GaN衬底的二硫化钼光电探测器和制备方法，其包括在Fe掺GaN衬底表面生长一MoS2薄膜层；以及在MoS2薄膜层的表面生长一SiO<Sub>2</Sub>层；其中，在MoS2薄膜层上制备两Au欧...
刘新科李奎龙陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>MXene/聚合物复合吸波材料的制备方法
本发明公开了一种Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>MXene/聚合物复合吸波材料的制备方法，其使用溶液刻蚀和复合的方法就制备出了高效的Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>MXene/...
刘新科刘睿李奎龙顾虹吕有明俞文杰韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮
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