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刘鑫

作品数：22 被引量：8H指数：1
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：重庆市自然科学基金重庆市高等教育教学改革研究项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电气工程自动化与计算机技术化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 4篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇测试装置
  • 4篇应力
  • 4篇体效应
  • 4篇漏电
  • 4篇埋氧层
  • 4篇晶体管
  • 4篇耗尽型
  • 4篇浮体效应
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体场效应...
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇电平
  • 3篇体积模量
  • 3篇漂移
  • 3篇反相
  • 3篇反相器
  • 3篇高电平

机构

  • 22篇中国工程物理...
  • 2篇重庆大学
  • 1篇云南电力试验...

作者

  • 22篇刘鑫
  • 9篇解磊
  • 7篇李悦芳
  • 6篇曾志斌
  • 6篇张国亮
  • 6篇代刚
  • 4篇陈磊
  • 2篇程焰林
  • 2篇黎明
  • 2篇梁堃
  • 2篇李顺
  • 2篇孙鹏
  • 1篇姚陈果
  • 1篇张慧
  • 1篇董守龙
  • 1篇杨永明
  • 1篇刘鑫
  • 1篇屈明山

传媒

  • 1篇电工技术学报
  • 1篇变压器
  • 1篇复合材料学报
  • 1篇云南电力技术

年份

  • 2篇2024
  • 7篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种抗参数漂移反相器
本实用新型为一种抗参数漂移反相器，在保证功能正确的前提下，有效得解决外界因素所引起的反相器的参数漂移问题，包括：低噪声容限减小、输出高电平降低和传输特性左移；该反相器结构具有：一个主反相器，一个补偿NMOS管，一条补偿支...
吕秋叶解磊彭勇杨任花钟乐刘鑫毛光
文献传递
一种离子推进器
本发明公开了一种离子推进器，该推进器包括：电离室、屏栅、引出栅和升压螺旋体，所述屏栅与电离室电性连接，引出栅相对屏栅放置，且引出栅为负电位；升压螺旋体一端与引出栅电性连接，另一端相对引出栅为负电位，所述升压螺旋体由多个升...
黎明程焰林刘鑫
一种抗参数漂移反相器
本发明为一种抗参数漂移反相器，在保证功能正确的前提下，有效得解决外界因素所引起的反相器的参数漂移问题，包括：低噪声容限减小、输出高电平降低和传输特性左移；该反相器结构具有：一个主反相器，一个补偿NMOS管，一条补偿支路，...
吕秋叶解磊彭勇杨任花钟乐刘鑫毛光
文献传递
铁磁元件直流退磁方法研究被引量：6
2019年
铁磁元件铁心剩磁通(剩磁)的存在会给电力变压器带来较大的励磁涌流并影响互感器测量精度。为了便捷的消除铁磁元件铁心剩磁,提出了一种采用极性反转直流源的直流退磁方法。该方法考虑绕组直流电阻的影响,通过微控制器计算并严格控制施加正负直流电源的脉宽,使铁心能分别达到负、正饱和点和磁通零点,达到退磁的目的。同时,根据各个阶段磁通的变化还可以计算剩磁和剩磁系数。并在电流互感器上展开试验,测得退磁后的剩磁系数绝对值<3%,与工频开路退磁法相当,而且所需退磁电源的功率仅不到6W,和工频开路退磁法相比大大减小了退磁电源的容量。验证了本文所述方法的准确性和可行性。
马鸿波刘鑫刘涛
关键词：剩磁铁磁元件退磁磁滞回线
非受限约束结构下硬质聚合物封装应力的测试装置与方法
本发明公开了非受限约束结构下硬质聚合物封装应力的测试装置与方法，该装置设置硬质聚合物封装材料包裹薄壁侧壁筒固化，结合侧壁筒刚度小容易变形的特点，构造三维非受限约束结构，并将硬质聚合物封装材料的变形反映到薄壁侧壁筒的变形上...
李想李悦芳钟华张国亮刘鑫陈磊曾志斌
一种基于MEMS微细线圈的微区域磁化装置及方法
本发明公开了一种基于MEMS微细线圈的微区域磁化装置及方法，所述装置包括包括：脉冲电源、细微线圈、基体和永磁薄膜；所述方法包括：首先利用微纳加工工艺制备微细线圈，接着制备永磁薄膜，将永磁薄膜贴合在微细线圈的基体上，在微细...
谢晋支钞屈明山李严军王颉张慧刘鑫陶宏
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具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管及其制造方法
本发明公开了具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管的埋氧层为三段式结构，body下面的BOX与源漏两端处BOX相分离，同时这三段BOX又将有源区和衬底相隔离；与传统SOI工艺相比，本发明body处的B...
毛光解磊代刚钟乐彭勇吕秋叶杨任花刘鑫
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一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计
本发明公开了一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计，该测试系统设计包括SOI晶体管结构测试单元和至少两个噪声测试电阻，噪声测试电阻与SOI晶体管结构测试单元串联，SOI晶体管结构测试单元的两端至少有一个噪声测试电阻；本...
解磊代刚李顺梁堃孙鹏刘鑫
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一种弹性体材料体积模量测试装置与方法
针对弹性体体积模量测量设备结构复杂，测试方法不适用于低应力水平测试、数据处理繁杂、存在引入其他杂质影响测试精度的缺点，本发明提出了一种弹性体体积模量测试装置和测试方法。该装置主要由垫块、上底座、延长杆、紧固螺钉、压头、引...
李想李悦芳张国亮刘鑫曾志斌钟华
一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括硅底层、埋氧层和硅顶层，通过光刻在埋氧层上并在硅顶层侧面，进行离子注入等形成P+层，然后P+层上生长形成有氧化层，氧化层上分别生长硅层，用于形成漏极和...
毛光解磊代刚钟乐彭勇吕秋叶杨任花刘鑫
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