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王雯雯

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉理工大学更多>>
相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇双极性
  • 2篇介质层
  • 2篇开关比
  • 2篇开关电压
  • 2篇孤对电子
  • 2篇存储器
  • 1篇选择性
  • 1篇微观形貌
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇结构特性

机构

  • 3篇武汉理工大学

作者

  • 3篇王雯雯
  • 2篇周静
  • 2篇刘曰利
  • 2篇陈文
  • 2篇李昂

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
实现多值存储的介质层、阻变存储器及其制备方法与应用
本发明提供实现多值存储的介质层、阻变存储器及其制备方法与应用，将CuSbS<Sub>2</Sub>用作RRAM的介质材料，其可以呈现双极性、非易失性阻变特征，具有较低的开关电压和高阻变开关比；同时利用Sb原子的孤对电子与...
周静王志青王雯雯陈文胡洋李昂吕承睿刘曰利
文献传递
多孔无机纳米材料的制备及增强吸附性能与选择性
多孔无机纳米材料在催化、吸附、分离、生物医学及新材料制备等方面展示出诱人的前景。本文分别制备了表面活性剂改性的γ-Al2O3、不同组分的M2+/Al3+水滑石及有机插层改性的镁铝水滑石材料，并探讨了它们对水中污染物（六价...
王雯雯
关键词：微观形貌结构特性
文献传递
实现多值存储的介质层、阻变存储器及其制备方法与应用
本发明提供实现多值存储的介质层、阻变存储器及其制备方法与应用，将CuSbS<Sub>2</Sub>用作RRAM的介质材料，其可以呈现双极性、非易失性阻变特征，具有较低的开关电压和高阻变开关比；同时利用Sb原子的孤对电子与...
周静王志青王雯雯陈文胡洋李昂吕承睿刘曰利
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