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太阳能电池的多层金属化结构的实现方法: 本发明公开了一种太阳能电池的多层金属化结构的实现方法，该方法的步骤如下：（a）制备太阳能电池结构至介质膜的完成；（b）制备金属化结构，具体步骤如下：（b1）首先在介质膜上制备接触金属层；（b2）再在接触金属层上制备导电金...; 盛赟盛健袁声召王伟蔡文浩张淳; 文献传递

一种在N型太阳电池双面同时实现选择性掺杂的工艺: 本发明公开了一种在N型太阳电池双面同时实现选择性掺杂的工艺，该工艺包含如下步骤：a）对N型晶体硅片进行预处理，使其正面为减反绒面，并在正面上进行扩散处理，形成重掺杂P++层；b）对硅片背面进行扩散处理，形成重掺杂N++层...; 王伟盛健张淳; 文献传递

N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法: 本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法，该方法的步骤如下：a）运用硼扩散在N型晶体硅太阳能电池的衬底上形成P型发射结，并且在硼原子推进扩散后，进行氧气气氛的高温处理，其中，氧气流量和炉腔的体积比...; 盛赟袁声召王伟蔡文浩盛健张淳; 文献传递

n型背结太阳电池的前表面场局域激光掺杂技术研究: 采用激光掺杂技术来实现n型背结太阳电池的选择性前表面场结构,拟精确地在金属接触区域形成相对高浓度的磷掺杂,这样既可以保证非金属接触区域的低掺杂浓度,低复合,又能在金属接触区域形成良好接触.分析比较了两种典型的激光掺杂工艺...; 王伟盛健袁声召盛赟蔡文浩张淳冯志强Pierre Verlinden; 关键词：性能参数; 文献传递

晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构: 本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构，它包括SiN<Sub>x</Sub>薄膜层、三氧化二铝薄膜层和生长在硅片衬底正面或背面的P型掺杂层上的二氧化硅薄膜层，三氧化二铝薄膜层生长在二氧化硅薄膜层的外表面上，S...; 盛健张淳; 文献传递

用于制造太阳能电池的图形化掩膜方法: 本发明公开了一种用于制造太阳能电池的图形化掩膜方法，它的步骤如下：（a）旋涂掩膜层；（b）烘干掩膜层；（c）部分去除掩膜层，形成图形化掩膜；（d）实施电池的后续制造工艺；（e）去除剩余掩膜层。本方法加工面积大、图形尺寸小...; 盛赟袁声召盛健蔡文浩王伟张淳; 文献传递

晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构: 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构，它包括SiNx薄膜层、三氧化二铝薄膜层和生长在硅片衬底正面或背面的P型掺杂层上的二氧化硅薄膜层，三氧化二铝薄膜层生长在二氧化硅薄膜层的外表面上，SiNx薄膜层生长在三氧化二...; 盛健张淳; 文献传递

先进发电技术与高效电网中的若干基础科学问题研究: 2014年; 电力工业集能源消耗、生产和利用于一身，是实现国家能源战略的关键环节，在国民经济中占有举足轻重的地位。《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》中指出“我国目前能源供需矛盾尖锐，结构不合理；能源利用效率低；一次能源消费以煤为主，化石能的大量消耗造成严重的环境污染。今后15年，满足持续快速增长的能源需求和能源的清洁高效利用，对能源科技发展提出重大挑战。”能源环境问题的日趋严重，制约了经济社会的发展，节能降耗已成为衡量当前经济生产的重要指标，受到整个社会的广泛关注。坚持节能优先，降低能耗，攻克主要耗能领域的关键技术，大力提高一次能源利用效率和终端用能效率，推进能源结构多元化，增加能源供应，可再生能源利用技术取得突破和规模化应用，成为目前能源科技领域的重要研究内容。; 于永清章欣周泽昕赵兵周荣灿程健唐丽英李金香李金香孙玉田刘莹杨小林孙玉田丁亮富立新叶杭冶杨小林杨小林潘磊宋晓萍胡志岩丁亮熊景峰冯志强张淳张宪平; 关键词：发电技术能源利用效率能源消耗可再生能源利用电网

N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法: 本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法，该方法的步骤如下：a）运用硼扩散在N型晶体硅太阳能电池的衬底上形成P型发射结，并且在硼原子推进扩散后，进行氧气气氛的高温处理，其中，氧气流量和炉腔的体积比...; 盛赟袁声召王伟蔡文浩盛健张淳; 文献传递

高效N型背结太阳能电池选择性前表面场研究: 高效N型单晶太阳能电池由于其低的衰减,一直受到广泛关注.本文针对N型单晶背结电池,正面制绒面磷扩散形成前表面场(FSF),并进行选择性刻蚀优化,PECVD沉积SiNx钝化后既得到了低的正面J0(轻掺区35fA/cm2),...; 王伟张淳盛健袁声召盛赟蔡文浩冯志强Pierre Verlinden

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张淳