您的位置： 专家智库 > >

陈文梅

作品数：30 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 17篇导通
  • 13篇电阻
  • 13篇半导体
  • 12篇导通电阻
  • 10篇功率半导体
  • 10篇功率半导体器...
  • 10篇半导体器件
  • 7篇漂移区
  • 6篇槽栅
  • 5篇导通压降
  • 5篇损耗
  • 5篇埋层
  • 5篇击穿电压
  • 5篇反向击穿
  • 5篇反向击穿电压
  • 5篇DMOS
  • 4篇电场
  • 4篇氧化层
  • 4篇肖特基
  • 4篇开关损耗

机构

  • 30篇电子科技大学
  • 1篇光电子有限公...

作者

  • 30篇陈文梅
  • 29篇李泽宏
  • 28篇任敏
  • 23篇陈哲
  • 23篇李爽
  • 23篇曹晓峰
  • 10篇谢驰
  • 7篇罗蕾
  • 7篇李家驹
  • 5篇张波
  • 5篇张金平
  • 4篇刘竞秀
  • 3篇高巍
  • 1篇陈钱
  • 1篇张明

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 19篇2016
  • 1篇2015
共 30 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种积累型沟槽二极管
本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种积累型二极管。本发明的积累型二极管，其特征在于，通过在二氧化硅层中注入Cs+离子，使二氧化硅层带正电荷。利用二氧化硅层中的正电荷在N‑漂移区中形成积累层，可以减小导通电阻。...
李泽宏曹晓峰陈哲李爽陈文梅林育赐谢驰任敏
文献传递
一种槽栅MOSFET器件
本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种槽栅MOSFET器件。其元胞结构相比于传统的槽栅型MOSFET器件的区别主要为，本发明的MOSFET器件在槽型栅电极底部具有厚绝缘介质层，且在厚绝缘介质层中引入负电荷，所述...
李泽宏陈文梅李爽曹晓峰陈哲包惠萍任敏
文献传递
一种分裂栅积累型DMOS器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种分裂栅积累型DMOS器件。本发明主要在于通过引入积累型区域，降低阈值电压和导通电阻；同时，本发明具有Split‑gate结构的优点。采用本发明可以具有较大的正向电流、较小的阈值电压、...
李泽宏曹晓峰陈哲李爽陈文梅林育赐谢驰任敏
文献传递
一种具有P型埋层的积累型DMOS
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有P型埋层的积累型DMOS。本发明的一种具有P型埋层结构的积累型DMOS，其特征在于通过引入积累型区域，降低阈值电压和导通电阻；该结构体内有P型埋层，可以在体内场板的基础上进一...
李泽宏曹晓峰陈哲李爽陈文梅林育赐谢驰任敏
一种集成肖特基二极管的积累型屏蔽栅MOSFET
本发明属于半导体技术，特别涉及一种积累型的屏蔽栅MOSFET集成肖特基二极管，形成于硅衬底上且屏蔽栅MOSFET和肖特基二极管的形成区域分开且相邻。积累型屏蔽栅MOSFET具有屏蔽栅的结构，肖特基二极管具有和屏蔽栅MOS...
李泽宏李爽陈文梅陈哲曹晓峰李家驹罗蕾任敏
文献传递
一种平面栅IGBT及其制作方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种平面栅IGBT及其制作方法。本发明在传统平面栅IGBT器件结构的基础上，在器件JFET区氧化层的上部部分区域引入与发射极连接的电极，所述发射极连接电极与栅极在垂直于MOS沟道长度...
张金平陈文梅黄孟意田丰境刘竞秀李泽宏任敏张波
文献传递
一种集成沟槽肖特基的MOSFET
本发明属于半导体技术，特别涉及一种集成沟槽肖特基的MOSFET。该集成沟槽肖特基的MOSFET为在MOSFET中集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，肖特基结由金属层与N型轻掺杂环接触形成，位于MOSFET槽型栅极...
李泽宏李爽陈文梅陈哲曹晓峰李家驹罗蕾任敏
一种具有P型埋层的积累型DMOS
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有P型埋层的积累型DMOS。本发明的一种具有P型埋层结构的积累型DMOS，其特征在于通过引入积累型区域，降低阈值电压和导通电阻；该结构体内有P型埋层，可以在体内场板的基础上进一...
李泽宏曹晓峰陈哲李爽陈文梅林育赐谢驰任敏
文献传递
一种具有复合介质层结构的积累型DMOS
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有复合介质层结构的积累型DMOS。本发明公开的具有复合介质层结构的积累型DMOS，其特征在于通过在具有复合介质层结构的DMOS中引入积累型区域，使得DMOS在电场分布改善的同时...
李泽宏曹晓峰陈哲李爽陈文梅林育赐谢驰任敏
文献传递
一种高压功率器件终端区结构
本发明属于半导体技术，特别涉及一种提高终端区耐压的高压功率器件结构。本发明主要是具有位于硅片体内的SIPOS区4和位于硅片表面的SIPOS区5以及连接SIPOS区4、SIPOS区5的SIPOS柱12，器件处于反向阻断状态...
李泽宏李爽陈文梅陈哲曹晓峰李家驹罗蕾任敏
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0