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赵玉全

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南京工程学院更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电极
  • 2篇电极材料
  • 2篇电容
  • 2篇氧化钴
  • 2篇原位生长
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米片
  • 2篇超电容
  • 1篇电容性
  • 1篇电容性能
  • 1篇钴

机构

  • 2篇南京工程学院

作者

  • 2篇戴玉明
  • 2篇王章忠
  • 2篇朱帅帅
  • 2篇赵玉全
  • 2篇李长振
  • 2篇吴文婷

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法
本发明公开了一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，包括：对钴片基体进行预处理，去除其表面的油脂和氧化物；将预处理过的钴片基体置于无水乙醇中进行超声震荡浸泡，取出后烘干，真空保存待用；将待用钴片进行氧化处理，得...
戴玉明朱帅帅王章忠赵玉全李长振吴文婷
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一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法
本发明公开了一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，包括：对钴片基体进行预处理，去除其表面的油脂和氧化物；将预处理过的钴片基体置于无水乙醇中进行超声震荡浸泡，取出后烘干，真空保存待用；将待用钴片进行氧化处理，得...
戴玉明朱帅帅王章忠赵玉全李长振吴文婷
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