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徐华

作品数：36 被引量：8H指数：2
供职机构：华南理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇电气工程

主题

  • 22篇晶体管
  • 22篇薄膜晶体
  • 22篇薄膜晶体管
  • 12篇氧化物
  • 11篇半导体
  • 10篇显示面板
  • 10篇面板
  • 7篇氧化物半导体
  • 7篇基板
  • 6篇氧化铟
  • 6篇显示装置
  • 5篇稀土
  • 5篇发光
  • 4篇单元电路
  • 4篇电极
  • 4篇电路
  • 4篇钝化层
  • 4篇驱动芯片
  • 4篇芯片
  • 4篇金属氧化物半...

机构

  • 36篇华南理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 36篇徐华
  • 33篇徐苗
  • 31篇彭俊彪
  • 31篇王磊
  • 27篇李民
  • 24篇陶洪
  • 24篇邹建华
  • 16篇周雷
  • 6篇兰林锋
  • 5篇吴为敬
  • 5篇宁洪龙
  • 4篇姚日晖
  • 3篇陈禧
  • 2篇曾勇
  • 2篇蔡炜
  • 2篇郑泽科
  • 2篇陈建秋
  • 2篇李美灵
  • 1篇肖鹏
  • 1篇张伟

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇第五届届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 11篇2021
  • 7篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2011
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用
本发明公开了一种金属氧化物半导体，该金属氧化物半导体为：在含铟的金属氧化物MO‑In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>半导体中掺入少量稀土氧化物RO作为光生载流子转换中心，形成(In<Sub>2</Sub...
徐苗徐华李民彭俊彪王磊邹建华陶洪
文献传递
一种薄膜晶体管、显示基板、显示面板及显示装置
本发明公开了一种薄膜晶体管、显示基板、显示面板及显示装置。所述薄膜晶体管包括：衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、第一绝缘层、源极和漏极，其中，有源层包括中间区、源极区和漏极区，中间区包括沟道区和轻掺杂区，轻掺杂区包括第...
徐苗李民徐华周雷李洪濛王磊邹建华陶洪彭俊彪
显示面板以及显示装置
本发明实施例公开了一种显示面板以及显示装置，该显示面板包括：至少两个显示单元，每一显示单元包括：基板，基板包括显示承载区、以及位于显示承载区至少一侧的拼接区；柔性衬底，位于基板的第一表面，且位于显示承载区，至少部分柔性衬...
徐苗周雷陶洪李民李洪濛徐华陈子楷邹建华王磊彭俊彪
文献传递
退火温度对非晶掺硅氧化锡半导体薄膜特性影响
采用磁控溅射法制备非晶掺硅氧化锡(STO)薄膜,用XRD、AFM、Hall 等测试对薄膜进行表征,研究了沉积温度和退火温度对其电学、光学性能的影响.研究结果表明,STO 薄膜在不同退温度下保持非晶结构,具有表面光滑、缺陷...
刘贤哲陈建秋蔡炜胡诗犇陶瑞强曾勇郑泽科姚日晖徐华徐苗兰林锋王磊宁洪龙彭俊彪
关键词：退火迁移率
像素电路、像素电路的驱动方法和显示面板
本发明公开了一种像素电路、像素电路的驱动方法和显示面板。该像素电路包括数据写入模块、存储模块、驱动模块和发光器件；所述驱动模块包括第一控制端和第二控制端，所述数据写入模块用于在数据写入阶段将数据信号写入所述驱动模块的第一...
徐苗周雷李民李洪濛徐华陈子楷邹建华王磊彭俊彪陶洪
文献传递
一种氧化物半导体薄膜及由其制备的薄膜晶体管
本发明属于半导体材料与器件技术领域，公开了一种氧化物半导体薄膜及由其制备的薄膜晶体管。所述氧化物半导体薄膜由金属氧化物半导体薄膜中掺入少量稀土氧化物得到。所述薄膜晶体管包括栅极、氧化物半导体薄膜制备的沟道层、位于栅极和沟...
徐苗徐华吴为敬陈为锋王磊彭俊彪
文献传递
一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用
本发明公开了一种金属氧化物半导体，其为：在含铟的金属氧化物MO‑In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>半导体中，分别掺入至少两种的稀土元素R的氧化物和稀土元素R’的氧化物，形成In<Sub>x</Sub>...
徐苗徐华李民彭俊彪王磊邹建华陶洪
文献传递
一种薄膜晶体管以及制备方法
本发明公开了一种薄膜晶体管以及制备方法。该薄膜晶体管包括：衬底；栅极；栅极绝缘层；有源层，有源层位于栅极绝缘层背离栅极的表面，有源层包括源区、漏区以及沟道区；第一钝化层，第一钝化层位于有源层背离栅极绝缘层一侧的表面，第一...
徐苗李民周雷徐华李洪濛庞佳威彭俊彪王磊邹建华陶洪
文献传递
一种LED芯片的分选方法和LED芯片
本发明公开了一种LED芯片的分选方法和LED芯片，该方法包括：将至少一种发光颜色的LED芯片转移至衬底，以形成LED芯片封装结构，所述衬底包括多个子衬底区域，其中，每个所述子衬底区域内设置有驱动单元和至少一个像素，每个像...
徐苗周雷李洪濛徐华李民陈子楷陈禧庞佳威彭俊彪
一种薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制备方法。薄膜晶体管包括：衬底；第一电极位于衬底的表面；层间绝缘层位于第一电极背离衬底一侧的表面，层间绝缘层背离第一电极的表面为平面，层间绝缘层设置有第一过孔；有源层位于层间绝缘...
徐苗李民周雷徐华李洪濛庞佳威彭俊彪王磊邹建华陶洪
文献传递
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