您的位置： 专家智库 > >

周小蓉

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：华微电子系统有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇待机
  • 1篇电路
  • 1篇电路技术
  • 1篇优化设计
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路技术
  • 1篇功耗
  • 1篇公共
  • 1篇SRAM

机构

  • 1篇华微电子系统...

作者

  • 1篇黄国辉
  • 1篇李平
  • 1篇李文昌
  • 1篇杨志明
  • 1篇余梅
  • 1篇周小蓉

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
低泄漏功耗SRAM存储单元结构
低泄漏功耗SRAM存储单元结构，涉及集成电路技术。本发明包括由MOS管构成的存储单元，其特征在于，在存储单元的公共源极SN连接有电压偏置电路，所述电压偏置电路用于在读写时将SN接地，在待机时提高SN电压。本发明的有益效果...
李平杨志明李文昌黄国辉周小蓉余梅
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0