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孙青

作品数：2 被引量：7H指数：1
供职机构：西北电讯工程学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅膜
  • 1篇钝化
  • 1篇应力
  • 1篇应力测量
  • 1篇应力分析
  • 1篇应力性
  • 1篇自钝化
  • 1篇硅膜
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇薄膜应力
  • 1篇PECVD

机构

  • 2篇西北电讯工程...

作者

  • 2篇杨银堂
  • 2篇孙青

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇1989
  • 1篇1987
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
PECVD SiN薄膜应力的研究被引量：7
1989年
本文介绍以激光反射法应力测量装置研究PE CVD SiN薄膜的应力特性。并给出了SiN膜应力与淀积温度、气体流量比、膜厚、测试温度的关系、以及退火处理对膜应力的影响,得到了本征应力和热应力在总应力中各占的比例。
孙青杨银堂庄奕琪张忠良
关键词：氮化硅膜应力测量
半导体器件表面钝化膜应力性质的研究
大小是衡量器件表面钝化膜质量优劣的重要因素。该文对CN薄膜中应力的主要起因进行了分析，给出了薄膜形成过程中主要工艺参量对其应力的影响情况，对实际生长的CVD钝化膜应力进行了测量，其变化趋势与理论分析结果相 符合。结果还表...
杨银堂孙青庄奕琪
关键词：半导体器件薄膜应力自钝化应力分析
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共1页<1>
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