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戴小平
戴小平
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73
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株洲南车时代电气股份有限公司
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相关领域:
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合作作者
刘国友
株洲南车时代电气股份有限公司
陈芳林
株洲南车时代电气股份有限公司
蒋谊
株洲南车时代电气股份有限公司
张明
株洲南车时代电气股份有限公司
吴义伯
株洲南车时代电气股份有限公司
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2008
21篇
2007
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2006
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阴电极分叉式半导体器件
本实用新型公开了一种阴电极分叉式半导体器件,它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极,所述阳极和阴极分别位于壳体的两端,所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间,另一端从壳体内引出后突出布置于壳体的外侧,所述门电极为门极...
张明
李继鲁
戴小平
蒋谊
陈芳林
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一种绝缘栅双极型晶体管及其构造方法
本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管构造方法,所述方法包括以下步骤:采用P型扩散工艺在所述衬底上构造P型扩散区,使得所述P型扩散区的结深大于/等于所述晶体管的沟槽的深度;制作沟槽栅结构;制作N+源极区;刻蚀发射极金属接触窗...
刘国友
覃荣震
黄建伟
张泉
朱利恒
戴小平
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判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法
本发明公开了一种判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法,装置包括测量模块,对功率半导体模块基板的表面进行取点操作,在其表面测取三个以上的测量点,并将其空间位置数据传送至处理模块;处理模块,根据测量点的空间位置数据,经过...
贺新强
彭勇殿
李继鲁
曾雄
戴小平
吴煜东
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散热绝缘衬板,包括该衬板的封装模块及其制作方法
本发明公开了一种应用于功率电子模块的散热绝缘衬板,包括该衬板的封装模块及其制作方法,散热绝缘衬板包括:上金属化层、陶瓷层、下金属化层和金属柱阵列,上金属化层位于所述陶瓷层的上表面,下金属化层位于陶瓷层的下表面,陶瓷层位于...
刘国友
吴义伯
戴小平
徐凝华
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异径分叉式半导体器件
本实用新型公开了一种异径分叉式半导体器件,它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极,所述阳极和阴极分别位于壳体的两端,所述门电极包括呈环形排列的两个或两个以上的门电极片,所述阴电极包括呈环形排列的两个或两个以上的阴电极片...
张明
李继鲁
戴小平
蒋谊
陈芳林
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集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管(FRD)及其制造方法。该方法采用铝预沉积和硼离子注入的配合工艺方法,克服了一般快速整流管在P<Sup>+</Sup>型层纵横向杂质分布不均匀的缺点,极大地改善了FRD承...
高建宁
陈芳林
戴小平
蒋谊
郭润庆
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一种用于电动汽车的功率模块
本发明公开了一种用于电动汽车的功率模块,该功率模块包括:半导体芯片;第一导热板和焊接层,第一导热板通过焊接层与半导体芯片的第一表面上的相应端口连接;第二导热板和金属焊球阵列,第二导热板通过金属焊球阵列与半导体芯片的第二表...
马雅青
吴义伯
王彦刚
李云
余军
戴小平
刘国友
一种功率器件及其制作方法
本发明公开了一种功率器件及其制作方法,功率器件包括:N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层,功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱,N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从...
刘国友
覃荣震
黄建伟
张泉
朱利恒
戴小平
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一种功率半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法,功率半导体器件包括:P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层,功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深...
刘国友
覃荣震
黄建伟
张泉
朱利恒
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重叠分叉式半导体器件
本实用新型公开了一种重叠分叉式半导体器件,它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极,所述阳极和阴极分别位于壳体的两端,门电极包括呈环形排列的两个或两个以上的门电极片,所述阴电极包括呈环形排列的两个或两个以上的阴电极片,门...
张明
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