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戴小平

作品数:73 被引量:39H指数:3
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 67篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 20篇半导体
  • 18篇半导体器件
  • 15篇阴极
  • 12篇封装
  • 11篇电极
  • 11篇阳极
  • 10篇电感
  • 10篇功率
  • 9篇槽栅
  • 8篇电力
  • 8篇电力电子
  • 8篇电力电子器件
  • 8篇电子器件
  • 7篇氧化层
  • 7篇栅氧化
  • 7篇栅氧化层
  • 7篇晶闸管
  • 7篇封装外壳
  • 6篇叠层
  • 6篇漂移区

机构

  • 72篇株洲南车时代...
  • 1篇中南大学

作者

  • 73篇戴小平
  • 36篇刘国友
  • 31篇蒋谊
  • 31篇陈芳林
  • 29篇张明
  • 22篇吴义伯
  • 14篇覃荣震
  • 14篇黄建伟
  • 11篇王彦刚
  • 9篇齐放
  • 8篇罗海辉
  • 6篇张泉
  • 6篇朱利恒
  • 5篇李云
  • 5篇马雅青
  • 2篇彭勇殿
  • 2篇张弦
  • 2篇贺新强
  • 2篇蒋华平
  • 2篇徐凝华

传媒

  • 2篇变流技术与电...
  • 2篇大功率变流技...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 4篇2018
  • 7篇2017
  • 11篇2016
  • 13篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 21篇2007
  • 2篇2006
73 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
阴电极分叉式半导体器件
本实用新型公开了一种阴电极分叉式半导体器件,它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极,所述阳极和阴极分别位于壳体的两端,所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间,另一端从壳体内引出后突出布置于壳体的外侧,所述门电极为门极...
张明李继鲁戴小平蒋谊陈芳林
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一种绝缘栅双极型晶体管及其构造方法
本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管构造方法,所述方法包括以下步骤:采用P型扩散工艺在所述衬底上构造P型扩散区,使得所述P型扩散区的结深大于/等于所述晶体管的沟槽的深度;制作沟槽栅结构;制作N+源极区;刻蚀发射极金属接触窗...
刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法
本发明公开了一种判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法,装置包括测量模块,对功率半导体模块基板的表面进行取点操作,在其表面测取三个以上的测量点,并将其空间位置数据传送至处理模块;处理模块,根据测量点的空间位置数据,经过...
贺新强彭勇殿李继鲁曾雄戴小平吴煜东
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散热绝缘衬板,包括该衬板的封装模块及其制作方法
本发明公开了一种应用于功率电子模块的散热绝缘衬板,包括该衬板的封装模块及其制作方法,散热绝缘衬板包括:上金属化层、陶瓷层、下金属化层和金属柱阵列,上金属化层位于所述陶瓷层的上表面,下金属化层位于陶瓷层的下表面,陶瓷层位于...
刘国友吴义伯戴小平徐凝华
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异径分叉式半导体器件
本实用新型公开了一种异径分叉式半导体器件,它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极,所述阳极和阴极分别位于壳体的两端,所述门电极包括呈环形排列的两个或两个以上的门电极片,所述阴电极包括呈环形排列的两个或两个以上的阴电极片...
张明李继鲁戴小平蒋谊陈芳林
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集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管(FRD)及其制造方法。该方法采用铝预沉积和硼离子注入的配合工艺方法,克服了一般快速整流管在P<Sup>+</Sup>型层纵横向杂质分布不均匀的缺点,极大地改善了FRD承...
高建宁陈芳林戴小平蒋谊郭润庆张弦
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一种用于电动汽车的功率模块
本发明公开了一种用于电动汽车的功率模块,该功率模块包括:半导体芯片;第一导热板和焊接层,第一导热板通过焊接层与半导体芯片的第一表面上的相应端口连接;第二导热板和金属焊球阵列,第二导热板通过金属焊球阵列与半导体芯片的第二表...
马雅青吴义伯王彦刚李云余军戴小平刘国友
一种功率器件及其制作方法
本发明公开了一种功率器件及其制作方法,功率器件包括:N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层,功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱,N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从...
刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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一种功率半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法,功率半导体器件包括:P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层,功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深...
刘国友覃荣震黄建伟张泉朱利恒戴小平
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重叠分叉式半导体器件
本实用新型公开了一种重叠分叉式半导体器件,它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极,所述阳极和阴极分别位于壳体的两端,门电极包括呈环形排列的两个或两个以上的门电极片,所述阴电极包括呈环形排列的两个或两个以上的阴电极片,门...
张明李继鲁戴小平蒋谊陈芳林
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共8页<12345678>
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