吴金雄
- 作品数：12 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 拓扑绝缘体Bi2Te3纳米薄片的微纳加工及其量子点器件
- 敬玉梅吴金雄彭海琳黄少云徐洪起
- 三维拓扑绝缘体antidot阵列结构中的磁致输运研究
- 2018年
- 利用聚焦离子束刻蚀技术在拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜中刻蚀了纳米尺度的反点(antidot)阵列,并对制作的三个器件进行了系统的电学输运测量研究.低温下,所有器件中都观察到明显的弱反局域化效应.通过对弱反局域化效应的分析,发现器件一(Dev-1,不含有antidot阵列)和器件二(Dev-2,含有周期较大的antidot阵列)是始终由一个导电通道主导的量子输运系统,但在器件三(Dev-3,含有周期较小的antidot阵列)中能明确观察到较低温度下存在两个独立的导电通道,而在较高温度下Dev-3表现为由一个导电通道主导的量子输运系统.
- 敬玉梅黄少云吴金雄彭海琳徐洪起
- 关键词：拓扑绝缘体
- 二维Bi2Se3晶体对罗丹明6G分子的荧光猝灭效应研究
- 以石墨烯和拓扑绝缘体为代表的狄拉克材料(Dirac Materials)是近几年新涌现的二维量子功能材料,其表面态载流子有效质量为零,能量和动量之间满足线性关系,需要用相对论狄拉克方程描述~[1]。石墨烯是由碳原子以sp...
- 吴金雄刘忠范彭海琳
- 关键词：拓扑绝缘体荧光猝灭
- 文献传递
- 一种高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法
- 本发明公开了一种高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法。该方法包括：以含有Bi元素和Se元素的化合物为原料，以单晶晶圆为生长基底，进行化学气相沉积，得到所述Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub...
- 彭海琳谭聪伟吴金雄
- 二维硒氧化铋晶体及近红外光电探测器件
- 本发明公开了一种二维硒氧化铋晶体及近红外光电探测器件。该制备二维硒氧化铋晶体的方法，包括如下步骤：以Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉末和Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>块体...
- 彭海琳尹建波谈振军刘玉静吴金雄
- 文献传递
- 一种高迁移率硒氧化铋半导体薄膜的化学刻蚀方法
- 本发明公开了一种高迁移率二维Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>Se晶体的化学刻蚀方法。该方法包括下述步骤：将二维Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>Se晶体浸润于刻蚀液中进行反应，其...
- 彭海琳刘玉静吴金雄谈振军谭聪伟
- 文献传递
- Bi2O2Se纳米带的气-液-固生长与高性能晶体管的构筑被引量：1
- 2020年
- 作为一种具有高迁移率、高空气稳定性和带隙可调的二维材料,纳米硒氧化铋(Bi2O2Se)半导体有望成为未来电子学集成器件和光电子集成器件沟道材料的候选半导体。高质量的Bi2O2Se纳米带有望用于高性能晶体管的构筑;然而,其一维结构的合成方法尚未开发。在我们的研究中,我们在云母衬底上通过Bi催化汽-液-固生长机制合成了一维Bi2O2Se纳米带。合成的Bi2O2Se单晶纳米带的宽度为100 nm到20μm,长度可达亚毫米。再者,Bi2O2Se纳米带可以很容易地利用洁净转移方法被转移到Si O2/Si衬底上,并进一步制备成高性能场效应器件。Bi2O2Se纳米带场效应器件表现出优异的电学性质:室温电子迁移率高达~220 cm2·V-1·s-1,开关比高达>106,10μm沟道长度下电流密度高达~42μA·μm-1。由此说明,Bi2O2Se纳米带有望成为候选材料用于未来高性能晶体管的构筑。
- 谭聪伟于梦诗许适溥吴金雄陈树林赵艳刘聪张亦弛涂腾李天然高鹏彭海琳
- 关键词：气-液-固生长纳米带化学气相沉积
- 一种高迁移率层状硒氧化铋半导体薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种高迁移率层状Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>Se半导体薄膜及其制备方法。该制备层状Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>Se半导体薄膜的方法，包括如下步骤：以Bi<S...
- 彭海琳吴金雄谭聪伟
- 文献传递
- 二维Bi2Se3晶体对罗丹明6G分子的荧光猝灭效应研究
- 以石墨烯和拓扑绝缘体为代表的狄拉克材料(Dirac Materials)是近几年新涌现的二维量子功能材料，其表面态载流子有效质量为零，能量和动量之间满足线性关系，需要用相对论狄拉克方程描述[1]。石墨烯是由碳原子以sp2...
- 吴金雄刘忠范彭海琳
- 关键词：拓扑绝缘体荧光猝灭
- 二维Bi2Se3晶体对罗丹明6G分子的荧光猝灭效应研究被引量：1
- 2015年
- 首次研究了拓扑绝缘体Bi2Se3二维晶体对其表面吸附的罗丹明6G分子的荧光猝灭效应,证明薄层Bi2Se3可以有效猝灭罗丹明6G分子的荧光,且随Bi2Se3二维晶体的厚度从单层增加到8层,荧光猝灭效应增强,并初步探讨了其荧光猝灭机理.
- 吴金雄刘忠范彭海琳
- 关键词：拓扑绝缘体荧光猝灭
