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许志勇
作品数:
15
被引量:3
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
一般工业技术
电气工程
电子电信
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合作作者
蒋晓娜
电子科技大学
余忠
电子科技大学
孙科
电子科技大学
兰中文
电子科技大学
郭荣迪
电子科技大学
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铁氧体
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高居里温度
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机构
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电子科技大学
作者
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许志勇
13篇
兰中文
13篇
孙科
13篇
余忠
13篇
蒋晓娜
6篇
郭荣迪
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李乐中
2篇
邬传键
2篇
朱光伟
2篇
黄晓东
1篇
姬海宁
年份
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2016
2篇
2015
2篇
2014
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2013
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2012
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2009
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较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料及制备方法
较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料,由主成分和添加剂组成,其中,主成分按摩尔百分比,以氧化物计算:51~54mol%Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>,9~13mol%ZnO,0.1~0.7mol...
许志勇
孙科
余忠
蒋晓娜
兰中文
超低功耗MnZn铁氧体研制
本论文采用氧化物陶瓷工艺制备超低功耗MnZn铁氧体,系统研究了主配方、预烧淬火、添加剂、二次球磨时间及烧结气氛对MnZn功率铁氧体微观结构和磁性能的影响,并研制具有高起始磁导率、高饱和磁感应强度、高居里温度、超低功耗Mn...
许志勇
关键词:
超低功耗
MNZN铁氧体
微观结构
磁性能
c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法
c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法,属于电子材料技术。本发明包括以下步骤:步骤A:超声波清洗基片表面的杂质;步骤B:溅射一层厚度为20~50nm的非晶BaFe<Sub>12</Sub>O<Sub>19</Sub...
许志勇
兰中文
孙科
余忠
蒋晓娜
郭荣迪
李乐中
文献传递
c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法
c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法,属于电子材料技术。本发明包括以下步骤:步骤A:超声波清洗基片表面的杂质;步骤B:溅射一层厚度为20~50nm的非晶BaFe<Sub>12</Sub>O<Sub>19</Sub...
许志勇
兰中文
孙科
余忠
蒋晓娜
郭荣迪
李乐中
文献传递
宽温宽频低损耗MnZn功率铁氧体材料及其制备方法
宽温宽频低损耗MnZn功率铁氧体材料,涉及电子材料技术。本发明由主成分和添加剂组成,其中,主成分按摩尔百分比,以氧化物计算:51~54mol%Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>,9~13mol%ZnO...
余忠
许志勇
孙科
蒋晓娜
兰中文
文献传递
高T <Sub>c</Sub>、宽温超高B <Sub>s</Sub> MnZn铁氧体材料及制备方法
高T<Sub>c</Sub>、宽温超高B<Sub>s</Sub> MnZn铁氧体材料及制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域。本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂组成,其特征在于,主料包括:58.0-62.0mol%Fe<Su...
余忠
孙科
蒋晓娜
兰中文
黄晓东
郭荣迪
邬传键
许志勇
文献传递
高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料及制备方法
高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料,属于铁氧体材料制备技术领域。本发明组分包括主料和掺杂剂,其特征在于:以氧化物计算,主料为:48.5~49.9mol%Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>,31.0~...
余忠
孙科
蒋晓娜
兰中文
郭荣迪
许志勇
晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法
晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法,属于微波铁氧体薄膜材料技术领域。本发明包括下述步骤:步骤1:基板清洗;步骤2:溅射制备AlN薄层;步骤3:溅射制备BaM薄膜;步骤4:对镀有AlN薄层的基板进行加热使其温度...
孙科
余忠
朱光伟
蒋晓娜
兰中文
许志勇
李乐中
文献传递
较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料及制备方法
较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料,由主成分和添加剂组成,其中,主成分按摩尔百分比,以氧化物计算:51~54mol%Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>,9~13mol%ZnO,0.1~0.7mol...
许志勇
孙科
余忠
蒋晓娜
兰中文
文献传递
高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料及制备方法
高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料,属于铁氧体材料制备技术领域。本发明组分包括主料和掺杂剂,其特征在于:以氧化物计算,主料为:48.5~49.9mol%Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>,31.0~...
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孙科
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