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文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 7篇纳米
  • 5篇退火
  • 5篇墨水
  • 4篇碳纳米管
  • 4篇纳米管
  • 4篇晶体管
  • 4篇基底表面
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇导电
  • 3篇异质结
  • 3篇溶剂
  • 3篇退火处理
  • 3篇喷墨
  • 3篇喷墨打印
  • 3篇氢氧化铜
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇电导
  • 2篇定向碳纳米管
  • 2篇掩模

机构

  • 17篇中国科学院
  • 1篇上海大学

作者

  • 17篇邵霜霜
  • 13篇崔铮
  • 10篇陈征
  • 7篇赵建文
  • 2篇谢美兰
  • 1篇谢建军

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种导电纳米铜墨水及其制备方法
本发明公开了一种导电纳米铜墨水及其制备方法。该制备方法包括:采用新鲜制备的氢氧化铜,与保护剂在第一溶剂中混合反应,再加入L‑抗坏血酸,得到铜纳米颗粒分散液;从铜纳米颗粒分散液中分离得到铜纳米颗粒,洗涤后加入第二溶剂,得到...
邵霜霜陈征崔铮
文献传递
薄膜晶体管及其异质结有源层的制作方法
本发明公开了薄膜晶体管及其异质结有源层的制作方法,所述异质结有源层的制作方法通过在前沟道层墨水中加入润湿剂,在衬底上喷涂该混合墨水进行喷墨打印前沟道层,提高了制得的前沟道层的表面的润湿度,使得后续利用喷墨打印工艺在所述前...
邵霜霜梁坤罗慢慢赵建文崔铮
一种ITO薄膜的制备方法
本发明公开了一种ITO薄膜的制备方法,其包括:将ITO前驱体液涂覆在基体上,并经干燥处理而形成薄膜;将所述薄膜空气氛围退火,之后进行闪灯强脉冲光烧结处理。与空气退火后不进行闪灯烧结和不进行空气退火直接闪灯烧结的ITO薄膜...
谢美兰吴馨洲邵霜霜陈征崔铮
文献传递
薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板的制作方法及显示装置
本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法,包括:在基板的第一表面上制作形成栅电极以及覆盖栅电极的栅极绝缘层;在栅极绝缘层上制作形成负性光刻胶层;在基板的第二表面一侧对负性光刻胶层进行曝光,第二表面与第一表面相对;对曝光后的负...
吴绍静张青邵霜霜陈征崔铮
文献传递
基于喷墨打印的In_2O_3/IGZO TFT的电学性能
2019年
利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟氧化物(In_2O_3)薄膜和性能明显改善的双层In_2O_3/IGZO异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性。结果表明,喷墨打印制备的金属氧化物薄膜具有较高的光学透过率与较低的表面粗糙度;嵌入的In_2O_3层薄膜能减小IGZO与In_2O_3间的界面缺陷,明显提高In_2O_3/IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能及其偏压稳定性。随着IGZO中In含量的增加,载流子浓度升高,器件的迁移率增大,但In_2O_3与IGZO间能级势垒会逐渐降低,最后导致难以控制关态电流和阈值电压,因此,适当调整In的比例有利于获得较高器件性能的In_2O_3/IGZO异质结沟道TFT。
梁坤邵霜霜罗慢慢谢建军赵建文崔铮
关键词:喷墨打印IN2O3
一种导电纳米铜墨水及其制备方法
本发明公开了一种导电纳米铜墨水及其制备方法。该制备方法包括:采用新鲜制备的氢氧化铜,与保护剂在第一溶剂中混合反应,再加入L?抗坏血酸,得到铜纳米颗粒分散液;从铜纳米颗粒分散液中分离得到铜纳米颗粒,洗涤后加入第二溶剂,得到...
邵霜霜陈征崔铮
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一种导电纳米铜墨水的制备方法
本发明公开了一种导电纳米铜墨水的制备方法,包括如下步骤:(1)将聚乙烯吡咯烷酮、新鲜制备的氢氧化铜与丙三醇依次加入到第一溶剂中,形成混合溶液;(2)将步骤(1)所获混合溶液加入高压反应釜中,于温度为80~250℃的条件下...
邵霜霜陈征崔铮
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一种定向碳纳米管阵列结构及其制备方法与应用
本发明公开了一种定向碳纳米管阵列结构及其制备方法与应用。所述制备方法包括:以自组装分子在基底表面组装形成第一微结构,从而获得图案化基底,其中所述第一微结构与碳纳米管的结合力大于所述基底与碳纳米管结合的结合力;将所述图案化...
王欣赵建文李晓倩邵霜霜
一种高密度取向碳纳米管薄膜及其制备方法与应用
本发明公开了一种高密度取向碳纳米管薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括:在基底表面形成图案化的粘附层,通过空间限域技术使碳纳米管选择性结合在粘附层上,从而形成高密度取向碳纳米管薄膜;用于形成所述粘附层的粘附材料包括二...
李晓倩赵建文王欣邵霜霜
粘附性高的铜导电薄膜、其制备方法及应用
本发明公开了一种制备粘附性高的铜导电薄膜的方法,其包括:将粒径大于50nm且表面氧化层厚度小于2nm的铜颗粒分散在基底表面,形成铜膜;在空气气氛中对所述铜膜进行氙灯烧结,形成铜导电薄膜,其中采用的氙灯功率应使所述基底表面...
吴馨洲陈征邵霜霜崔铮
文献传递
共2页<12>
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