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单光宝

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：西安交通大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇互连
  • 4篇互连结构
  • 4篇硅电容
  • 2篇凸点
  • 2篇芯片
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇极板
  • 2篇硅衬底
  • 2篇衬底
  • 2篇垂直互连
  • 1篇电感耦合
  • 1篇通孔
  • 1篇块结构
  • 1篇键合

机构

  • 4篇西安交通大学

作者

  • 4篇耿莉
  • 4篇刘松
  • 4篇单光宝

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
基于穿硅电容的三维容性耦合互连结构的制作方法
本发明公开一种基于穿硅电容的三维容性耦合互连结构的制作方法，包括：加工形成两块结构相同的硅衬底，将一块硅衬底背面对准键合在另外一片硅衬底上；形成基于穿硅电容的三维容性耦合互连结构；该互连结构中上部的铜柱和下部的铜柱同轴设...
单光宝刘松耿莉
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基于穿硅电容的三维容性耦合立体集成互连结构
本发明公开基于穿硅电容的三维容性耦合立体集成互连结构，包括两个结构相同的芯片；所述芯片包括硅衬底；硅衬底中部具有一个通孔，通孔的侧壁和底部设有一层通孔绝缘层；通孔绝缘层中设有金属柱；金属柱与通孔绝缘层之间设有包裹金属柱的...
单光宝刘松耿莉
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基于穿硅电容的三维容性耦合立体集成互连结构
本发明公开基于穿硅电容的三维容性耦合立体集成互连结构，包括两个结构相同的芯片；所述芯片包括硅衬底；硅衬底中部具有一个通孔，通孔的侧壁和底部设有一层通孔绝缘层；通孔绝缘层中设有金属柱；金属柱与通孔绝缘层之间设有包裹金属柱的...
单光宝刘松耿莉
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基于穿硅电容的三维容性耦合互连结构的制作方法
本发明公开一种基于穿硅电容的三维容性耦合互连结构的制作方法，包括：加工形成两块结构相同的硅衬底，将一块硅衬底背面对准键合在另外一片硅衬底上；形成基于穿硅电容的三维容性耦合互连结构；该互连结构中上部的铜柱和下部的铜柱同轴设...
单光宝刘松耿莉
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