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SiC陶瓷非球面磨削工艺实验研究被引量：2: 2012年; 为了研究磨削工艺参数对SiC材料磨削质量的影响规律,利用DMG铣磨加工中心做了SiC陶瓷平面磨削工艺实验,分析研究了包括主轴转速、磨削深度、进给速度在内的磨削工艺参数对工件表面粗糙度的影响。结果表明:工件表面粗糙度随着主轴转速的增加而减小,随着磨削深度和进给速度的增加而增加。在粗糙度工艺试验的基础上,以表面粗糙度最小为目标优选一组磨削工艺参数,进行了小口径SiC陶瓷非球面磨削实验,获得了较低的表面粗糙度值(0.5150μm)和较小的面形精度误差(4.668μm)。; 李春慧栾殿荣刘立飞张飞虎陈江张勇; 关键词：SIC 表面粗糙度面形误差

SiC陶瓷非球面器件磨削轨迹的研究: 随着现代光学元件制造技术的高速发展以及对大型SiC陶瓷非球面器件制备技术研究的不断深入,由于SiC陶瓷材料的难加工性以及非球面形状的特殊性,如何高效的进行大口径SiC陶瓷非球面器件的制备成为越来越多研究人员的研究方向。针...; 李春慧; 关键词：碳化硅陶瓷表面粗糙度; 文献传递

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李春慧