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陈胜

作品数:5 被引量:14H指数:2
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇量子
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米晶
  • 2篇量子点
  • 2篇化学法合成
  • 2篇胶体
  • 2篇胶体化学
  • 2篇胶体化学法
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇抑制比
  • 1篇运算放大器
  • 1篇频域
  • 1篇频域响应
  • 1篇谱性质
  • 1篇温度系数
  • 1篇量子限制效应

机构

  • 5篇华中科技大学
  • 2篇弥亚微电子(...

作者

  • 5篇张道礼
  • 5篇陈胜
  • 3篇吴启明
  • 3篇张建兵
  • 1篇梁延彬
  • 1篇袁林
  • 1篇吴艳辉
  • 1篇梁延斌

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇计算机与数字...
  • 1篇纳米科技
  • 1篇2005(第...

年份

  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
胶体化学法合成InP量子点被引量:3
2006年
采用InCl3·4H2O为铟源,P(Si(CH3)3)3为磷源,TOPO为包覆剂,十二烷胺为表面活性剂,通过胶体化学法合成InP量子点。使用TEM对量子点表面形貌进行了分析,利用荧光光谱仪和紫外可见分光光度计分析了其光学性质。所合成的量子点具有较好的分散性和表面性能,随着粒径的减小,表现出较好的量子效应。量子点表面性能的好坏是影响其光学性能的一个关键因素。
吴启明张道礼张建兵陈胜
关键词:量子点纳米晶胶体化学法
InP胶体量子点的合成及光谱性质被引量:8
2006年
以三辛基氧化膦(TOPO)作为溶剂,利用无水InCl3和P(Si(CH3)3)3之间的脱卤硅烷基反应合成了InP胶体量子点.其中,TOPO既作为反应溶剂又作为量子点的包覆剂和稳定剂,在反应后期加入十二胺作为表面活性剂.利用粉末X射线衍射仪及透射电子显微镜测量了量子点的结晶性、晶格结构、晶粒尺寸、表面形貌以及晶粒尺寸分布,利用光致发光(PL)光谱仪和紫外可见分光光度计分析了其光学性质.测试结果显示,量子点具有较好的结晶性及一定的尺寸分布,平均直径为2.5nm,标准偏差为7.4%,表现出明显的量子限制效应.
张道礼张建兵吴启明袁林陈胜
关键词:纳米晶量子限制效应
运算放大器的频域响应与建立时间被引量:1
2007年
结合CMOS运算放大器,从一阶系统着手,重点分析二阶系统的频域响应与建立时间的关系,并给出合理设计建议.最后结合分析,设计一个在速度、精度、功耗和输出摆幅等方面都能有良好表现的运算放大器。
陈胜张道礼吴艳辉梁延斌
关键词:运算放大器阶跃响应
胶体化学法合成InP量子点
本文采用InCl3·4H2O为铟源,P(Si(CH3)3)3为磷源,TOPO为包覆剂,十二烷胺为表面活性剂,通过胶体化学法合成了InP量子点。文章使用TEM对量子点表面形貌进行了分析,利用荧光光谱仪和紫外可见分光光度计分...
吴启明张道礼张建兵陈胜
关键词:纳米晶量子点胶体化学法
文献传递
一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源被引量:2
2007年
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数.仿真结果表明:在5 V电源电压下,温度系数为8.28×10-6/℃,低频电源抑制比为83 dB.
张道礼梁延彬吴艳辉陈胜
关键词:带隙基准温度系数电源抑制比
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